Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе

AUIRS21811STR
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - SO8: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Траб: -40...125 °C

Тип корпуса: SO8
Производитель: INFIN
код товара: 00-00049791

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 9 шт	75,75 70,36 66,66

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

FDS9431A
Транзистор IGBT


Тип корпуса: SO8
Производитель: FAIR
код товара: 00-00032664

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 17 шт от 42 шт	16,25 14,92 14,14

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FDS9435A
Транзистор IGBT
МОП-транзистор, P Канал, 5.3 А, -30 В, 0.042 Ом, -10 В, -1.7 В

Тип корпуса: SO8
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00032665

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 32 шт от 81 шт	8,50 7,79 7,38

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FDS9945
Транзистор IGBT
Транзистор: N-MOSFET x2,полевой 60В, 3,5А, 2Вт, SO8

Тип корпуса: SO8
Производитель: FAIR
код товара: 00-00032667

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 34 шт от 86 шт от 430 шт	8,00 7,38 6,99 6,64

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGA20N120FTDTU
Транзистор IGBT
IGBT Transistor N-channel, 40A 1200V, 3-Pin TO-3PN

Тип корпуса: TO-3P[N]
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00045292

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 5 шт	140,75 130,74 123,86

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGA25N120ANTDTU-F109
Транзистор IGBT
IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P

Тип корпуса: TO-3PBL
Производитель: ONS
код товара: 00-00056737

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 11 шт от 57 шт	59,00 55,77 53,02 50,37

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGA60N65SMD
Транзистор IGBT
Транзистор: IGBT: 650В: 60А: 300В: 180A

Тип корпуса: TO-3P[N]
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00056530

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 4 шт от 21 шт	165,00 156,09 148,40 140,98

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGH30S130P
Транзистор IGBT
Транзистор: IGBT: 1,3 кВ: 60 А: 500 Вт: TO247

Тип корпуса: TO-247
Производитель: FAIR
код товара: 00-00049221

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 4 шт	160,00 148,79 140,96

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGH40N60SFDTU
Транзистор IGBT
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A

Тип корпуса: TO-247
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00032669

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 11 шт от 54 шт	62,50 59,17 56,25 53,44

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGH40N60SMD
Транзистор IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A Field Stop IGBT

Тип корпуса: TO-247
Производитель: FAIR
код товара: 00-00032670

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 9 шт от 47 шт	71,50 67,51 64,19 60,98

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGH40N60UFDTU
Транзистор IGBT
IGBT ,N CH , W DIODE , 600V , 80A , TO247 , Transistor Type:IGBT , DC Collector Current : 80A , Collector Emitter

Тип корпуса: TO-247
Производитель: FAIR
код товара: 00-00047114

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 11 шт от 56 шт	60,25 56,96 54,15 51,44

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGH50N6S2D
Транзистор IGBT
IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247

Тип корпуса: TO-247
Производитель: FAIR
код товара: 00-00045147

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 3 шт	252,75 235,01 222,64

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGH60N60SFDTU
Транзистор IGBT
Транзистор IGBT N-channel, 120A 600V, TO-247-3

Тип корпуса: TO-247
Производитель: FAIR
код товара: 00-00045118

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 6 шт от 30 шт	114,00 107,87 102,55 97,42

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGH60N60SMD
Транзистор IGBT
IGBT 600В 60А TO247

Тип корпуса: TO-247
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00032671

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 3 шт от 8 шт от 39 шт	88,50 82,21 77,88 73,99

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGL40N120ANDTU
Транзистор IGBT
IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Rail

Тип корпуса: TO-264
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00045293

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 4 шт от 23 шт	149,50 141,47 134,49 127,77

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

FGL60N100BNTD
Транзистор IGBT
Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ

Тип корпуса: TO-264
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00032672

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 5 шт от 28 шт	122,00 115,28 109,60 104,12

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

GT35J321
Транзистор IGBT
Тип корпуса TO-247AC, Структура IGBT, U(и),В 600 В., I(и),А 18 (37) А., P(т),Вт 75 Вт

Тип корпуса: TO-247AC
Производитель: TOS
код товара: 00-00045440

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 3 шт	318,25 295,78 280,22

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG10N120BND
Транзистор IGBT


Тип корпуса: TO-247
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00032673

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 6 шт	113,75 105,63 100,07

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG11N120CND
Транзистор IGBT
IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A

Тип корпуса: TO-247
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00032674

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 10 шт от 53 шт	65,50 60,81 57,61 54,73

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG12N60A4D
Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В

Тип корпуса: TO-247
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00032675

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 9 шт	72,00 66,90 63,38

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG20N60A4
Транзистор IGBT
БТИЗ транзистор, 70 А, 2.7 В, 290 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Тип корпуса: TO-247-3
Производитель: FAIR
код товара: 00-00032676

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 3 шт от 8 шт	84,50 78,46 74,33

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG20N60A4D
Транзистор IGBT
БТИЗ транзистор, 70 А, 2.7 В, 290 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Тип корпуса: TO-247-3
Производитель: FAIR
код товара: 00-00032677

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 3 шт от 6 шт	106,50 98,86 93,66

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG30N60A4
Транзистор IGBT
IGBT 600В 75А

Тип корпуса: TO-247
Производитель: FAIR
код товара: 00-00032679

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 6 шт от 29 шт	116,25 109,82 104,41 99,19

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG30N60A4D
Транзистор IGBT
IGBT 600V 75A 463W

Тип корпуса: TO-247
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00032680

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 4 шт от 19 шт	186,75 173,48 164,34 156,12

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG30N60B3D
Транзистор IGBT


Тип корпуса: TO-247
Производитель: FAIR
код товара: 00-00032681

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 3 шт от 10 шт	488,75 477,35 469,84 446,35

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG40N60A4
Транзистор IGBT
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A • Ток коллектора (макс): 75A • Мощность макcимальная: 625W • Тип входа: Стандарт • Тип монтажа:

Тип корпуса: TO-247
Производитель: FAIR
код товара: 00-00032682

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 3 шт	441,00 430,69 423,91

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

HGTG5N120BND
Транзистор IGBT
БТИЗ транзистор, 21 А, 2.7 В, 167 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Тип корпуса: TO-247AD
Производитель: ONS-FAIR
код товара: 00-00032683

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 10 шт	65,75 61,08 57,87

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

IGB10N60T
Транзистор IGBT производства Infineon
IGBT транзистор, 10 А, 2.05 В, 110 Вт, 600 В

Тип корпуса: D2PAK
Производитель: INFIN
код товара: 00-00059266

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 7 шт от 18 шт	37,50 34,81 32,98

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IKW25T120
Транзистор IGBT
Транзистор: IGBT: 1,2кВ: 50А: 190Вт: TO247

Тип корпуса: PG-TO247-3
Производитель: INFIN
код товара: 00-00049250

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 4 шт	171,50 159,51 151,11

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

IKW30N60TFKSA1
Транзистор IGBT
БТИЗ транзистор, универсальный, 60 А, 2.05 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Тип корпуса: PG-TO247-3
Производитель: INFIN
код товара: 00-00032686

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 3 шт от 7 шт	93,75 87,16 82,58

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

IKW40N120T2FKSA1
Транзистор IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

Тип корпуса: TO-247
Производитель: INFIN
код товара: 00-00045898

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 3 шт от 16 шт	223,25 207,64 196,71 186,87

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

IKW50N60H3FKSA1
Транзистор IGBT
Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, TO-247

Тип корпуса: PG-TO247-3
Производитель: INFIN
код товара: 00-00048254

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 6 шт	109,25 101,41 96,07

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

IKW50N60TFKSA1
Транзистор IGBT
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 50A

Тип корпуса: TO-247
Производитель: INFIN
код товара: 00-00045899

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 4 шт	179,75 167,17 158,38

Этот товар находится по адресу
ул. Академика Павлова 120

IR2010PBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи

Тип корпуса: DIP14
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025848

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 6 шт	116,75 108,38 102,67

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2010SPBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи

Тип корпуса: SO16
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025849

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 6 шт	108,50 100,71 95,41

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2011PBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 1000 мА: Траб: -40...125 °C

Тип корпуса: DIP8
Производитель: IR
код товара: 00-00025850

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 11 шт	62,00 57,45 54,43

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2101PBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 600 мА: Траб: -40...125 °C

Тип корпуса: DIP8
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025853

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 9 шт от 24 шт	28,50 26,39 25,01

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2101STRPBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 600 мА: Траб: -40...125 °C

Тип корпуса: SO8-150-1.27
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025854

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 16 шт от 41 шт от 203 шт	16,50 15,58 14,81 14,07

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2102PBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 600 мА: Траб: -40...125 °C

Тип корпуса: DIP8
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025855

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 7 шт от 17 шт	39,00 36,26 34,35

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2102SPBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней

Тип корпуса: SO8-150-1.27
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025856

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 7 шт от 17 шт	41,25 38,23 36,22

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2103SPBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 360 мА: Траб: -40...125 °C

Тип корпуса: SO8
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025857

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 6 шт от 16 шт от 80 шт	43,00 39,92 37,82 35,93

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2104PBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 360 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи

Тип корпуса: DIP8-300
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025858

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 11 шт от 29 шт	23,50 21,76 20,62

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2104STRPBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 360 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи

Тип корпуса: SO8
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025859

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 14 шт от 37 шт от 183 шт	18,50 17,29 16,43 15,61

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2106PBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйверы FET-IGBT - [DIP-8], Nнижн: 1, Nверхн: 1, Uoffset: 600 В, Iout+: 200 мА, Iout-: 350 мА, Траб: -40...125 С

Тип корпуса: DIP8
Производитель: INFIN
код товара: 00-00053707

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 9 шт от 22 шт	30,50 28,25 26,76

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2106SPBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 350 мА: Траб: -40...125 °C

Тип корпуса: SO8
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025860

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 6 шт от 15 шт от 74 шт	46,50 43,10 40,83 38,79

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2108PBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 350 мА: Траб: -40...125 °C

Тип корпуса: DIP8
Производитель: IR
код товара: 00-00025862

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 10 шт	70,25 65,29 61,85

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2108SPBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Driver, high-/low-side,контроллер затвора, -350/200мА, 625мВт

Тип корпуса: SO8
Производитель: INFIN
код товара: 00-00044858

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 5 шт от 13 шт	52,50 48,66 46,09

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR21094STRPBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Кол-во каналов: 1, Макс.напряжение смещения: 600В, Вых.ток нарастания: 200 мА, Макс.выходной ток спада: 350 мА

Тип корпуса: SO14
Производитель: IR
код товара: 00-00025863

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 6 шт от 15 шт	45,50 42,22 39,99

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2109SPBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 120 мА: Iout-: 250 мА: Опции: Вход сброса

Тип корпуса: SO8
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025865

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 6 шт от 15 шт	45,00 41,69 39,49

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12

IR2110PBF
Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR
Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 500 В: Iout+: 2500 мА: Iout-: 2500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи

Тип корпуса: DIP14
Производитель: INFIN
код товара: 00-00025866

Этот товар есть на складе в Харькове

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 7 шт от 19 шт от 95 шт	36,25 33,52 31,75 30,16

Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12