Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн |

| AUIRS21811STR Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - SO8: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00049791

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| FDA24N50 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 500 В, 0.16 Ом, 10 В, 5 В
Тип корпуса: TO-247 Производитель: FAIR код товара: 00-00061428

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FDS9431A Транзистор IGBT
Тип корпуса: SO8 Производитель: FAIR код товара: 00-00032664

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FDS9435A Транзистор IGBT МОП-транзистор, P Канал, 5.3 А, -30 В, 0.042 Ом, -10 В, -1.7 В
Тип корпуса: SO8 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032665

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FDS9945 Транзистор IGBT Транзистор: N-MOSFET x2,полевой 60В, 3,5А, 2Вт, SO8
Тип корпуса: SO8 Производитель: FAIR код товара: 00-00032667

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGA20N120FTDTU Транзистор IGBT IGBT Transistor N-channel, 40A 1200V, 3-Pin TO-3PN
Тип корпуса: TO-3P[N] Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00045292

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGA25N120ANTDTU-F109 Транзистор IGBT IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
Тип корпуса: TO-3PBL Производитель: ONS код товара: 00-00056737

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGA60N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT транзистор, универсальный, 120 А, 600 В, 298 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-247 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00061811

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGA60N65SMD Транзистор IGBT Транзистор: IGBT: 650В: 60А: 300В: 180A
Тип корпуса: TO-3P[N] Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00056530

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGH30S130P Транзистор IGBT Транзистор: IGBT: 1,3 кВ: 60 А: 500 Вт: TO247
Тип корпуса: TO-247 Производитель: FAIR код товара: 00-00049221

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGH40N60SFDTU Транзистор IGBT Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A
Тип корпуса: TO-247 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032669

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGH40N60SMD Транзистор IGBT Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A Field Stop IGBT
Тип корпуса: TO-247 Производитель: FAIR код товара: 00-00032670

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGH40N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT ,N CH , W DIODE , 600V , 80A , TO247 , Transistor Type:IGBT , DC Collector Current : 80A , Collector Emitter
Тип корпуса: TO-247 Производитель: FAIR код товара: 00-00047114

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGH50N6S2D Транзистор IGBT IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247
Тип корпуса: TO-247 Производитель: FAIR код товара: 00-00045147

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGH60N60SFDTU Транзистор IGBT Транзистор IGBT N-channel, 120A 600V, TO-247-3
Тип корпуса: TO-247 Производитель: FAIR код товара: 00-00045118

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGH60N60SMD Транзистор IGBT IGBT 600В 60А TO247
Тип корпуса: TO-247 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032671

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGL40N120ANDTU Транзистор IGBT IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Rail
Тип корпуса: TO-264 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00045293

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| FGL60N100BNTD Транзистор IGBT Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ
Тип корпуса: TO-264 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032672

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| GT35J321 Транзистор IGBT Тип корпуса TO-247AC, Структура IGBT, U(и),В 600 В., I(и),А 18 (37) А., P(т),Вт 75 Вт
Тип корпуса: TO-247AC Производитель: TOS код товара: 00-00045440

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG10N120BND Транзистор IGBT
Тип корпуса: TO-247 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032673

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG11N120CND Транзистор IGBT IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A
Тип корпуса: TO-247 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032674

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG12N60A4D Транзистор IGBT IGBT транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-247 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032675

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG20N60A4 Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 70 А, 2.7 В, 290 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: FAIR код товара: 00-00032676

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG20N60A4D Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 70 А, 2.7 В, 290 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: FAIR код товара: 00-00032677

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG30N60A4 Транзистор IGBT IGBT 600В 75А
Тип корпуса: TO-247 Производитель: FAIR код товара: 00-00032679

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG30N60A4D Транзистор IGBT IGBT 600V 75A 463W
Тип корпуса: TO-247 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032680

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG30N60B3D Транзистор IGBT IGBT транзистор, 60 А, 1.9 В, 208 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-247 Производитель: FAIR код товара: 00-00032681

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG40N60A4 Транзистор IGBT Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A • Ток коллектора (макс): 75A • Мощность макcимальная: 625W • Тип входа: Стандарт • Тип монтажа:
Тип корпуса: TO-247 Производитель: FAIR код товара: 00-00032682

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| HGTG5N120BND Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 21 А, 2.7 В, 167 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-247AD Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00032683

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| IGW25N120H3 Транзистор IGBT IGBT транзистор, 50 А, 2.05 В, 326 Вт, 1.2 кВ
Тип корпуса: TO-247 Производитель: INFIN код товара: 00-00061805

| Этот товар есть на складе в Харькове |  |
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| IKW25T120 Транзистор IGBT Транзистор: IGBT: 1,2кВ: 50А: 190Вт: TO247
Тип корпуса: PG-TO247-3 Производитель: INFIN код товара: 00-00049250

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| IKW30N60TFKSA1 Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, универсальный, 60 А, 2.05 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: PG-TO247-3 Производитель: INFIN код товара: 00-00032686

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| IKW40N120T2FKSA1 Транзистор IGBT Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
Тип корпуса: TO-247 Производитель: INFIN код товара: 00-00045898

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| IKW50N60H3FKSA1 Транзистор IGBT Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, TO-247
Тип корпуса: PG-TO247-3 Производитель: INFIN код товара: 00-00048254

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| IKW50N60TFKSA1 Транзистор IGBT Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 50A
Тип корпуса: TO-247 Производитель: INFIN код товара: 00-00045899

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| IR2010PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025848

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2010SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO16 Производитель: INFIN код товара: 00-00025849

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2011PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 1000 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: IR код товара: 00-00025850

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2101PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 600 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025853

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2101STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 600 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00025854

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2102PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 600 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025855

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2102SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00025856

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2103SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 360 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025857

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2104PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 360 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP8-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025858

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2104STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 360 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025859

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2106PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйверы FET-IGBT - [DIP-8], Nнижн: 1, Nверхн: 1, Uoffset: 600 В, Iout+: 200 мА, Iout-: 350 мА, Траб: -40...125 С
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00053707

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2106SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 350 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025860

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2108PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 350 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: IR код товара: 00-00025862

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2108SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Driver, high-/low-side,контроллер затвора, -350/200мА, 625мВт
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00044858

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21094STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Кол-во каналов: 1, Макс.напряжение смещения: 600В, Вых.ток нарастания: 200 мА, Макс.выходной ток спада: 350 мА
Тип корпуса: SO14 Производитель: IR код товара: 00-00025863

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2110PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 500 В: Iout+: 2500 мА: Iout-: 2500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025866

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2110STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 500 В: Iout+: 2500 мА: Iout-: 2500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO16-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025867

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2111PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Примечание: Полумост - один вход: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025868

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2111SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Примечание: Полумост - один вход: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00025869

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2112PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: PDIP-14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025870

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2113PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 2000 мА: Iout-: 2000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025873

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2113STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 2500 мА: Iout-: 2500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO16-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025875

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2117PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025876

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2117SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: IR код товара: 00-00025877

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2118PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: IR код товара: 00-00025878

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2118SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025879

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2121PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Iout+: 1600 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025880

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2125PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 2000 мА: Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025881

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2125STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 2000 мА: Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO16 Производитель: IR код товара: 00-00025882

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21271PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 420 мА: Опции: Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025885

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2127PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 420 мА: Опции: Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025883

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2127SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00025884

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2128SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025886

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2130PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-28-600]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: DIP28 Производитель: INFIN код товара: 00-00025887

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2130SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-28]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: SO28 Производитель: INFIN код товара: 00-00025888

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2131SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-28]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: SO28 Производитель: IR код товара: 00-00025889

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2132SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-28]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: SO28 Производитель: INFIN код товара: 00-00025890

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2136PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-28-600]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 350 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: DIP28-600 Производитель: IR код товара: 00-00025892

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2136STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-28]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 350 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: SO28 Производитель: INFIN код товара: 00-00025893

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2137J Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [PLCC-68]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 220 мА: Iout-: 460 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: PLCC44 Производитель: IR код товара: 00-00025894

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2151PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025895

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21531PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025900

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21531STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 250 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025901

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2153DPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Контроллер балласта лампы - [DIP-8]: Iпотр: 1 А: Iвых: 1 А: Примечание: Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 200 мА: Траб: -40...125 °C: Траб: -40...1
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025898

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2153PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Двойной драйвер МОП-транзистора, полумостовой, питание 10В-20В, 250мА, 660нс
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025897

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2153STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 200 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025899

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2172SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT: Токовый сенсор 600В 260мВ. Uвх. 9,5...20В. Iвых. 20 мА. SO8
Тип корпуса: SO8 Производитель: IR код товара: 00-00050517

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21814SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO14 Производитель: IR код товара: 00-00025918

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2181SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8-118-0.65 Производитель: INFIN код товара: 00-00025920

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2183SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025921

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21844PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025924

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21844SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025925

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2184PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025922

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2184STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025923

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2213PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 1.2 кВ: Iout+: 1700 мА: Iout-: 2000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025926

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2213SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 1.2 кВ: Iout+: 2000 мА: Iout-: 2500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO16 Производитель: INFIN код товара: 00-00025927

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR22141SSPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SSOP-24]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 1.2 кВ: Iout+: 2000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Флаг защиты, Мягкое отключение
Тип корпуса: SSOP24 Производитель: IR код товара: 00-00025929

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2214SSPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SSOP-24]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 1.2 кВ: Iout+: 2000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Флаг защиты, Мягкое отключение
Тип корпуса: SSOP24-150-0.65 Производитель: INFIN код товара: 00-00025928

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR25602SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйверы FET-IGBT - SOIC-8-3.9, Nнижн: 1, Nверхн: 1, Uoffset: 600 В, Iout+: 130 мА, Iout-: 270 мА
Тип корпуса: SOIC-8 Производитель: INFIN код товара: 00-00056810

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR4426PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 2: Iout+: 2300 мА: Iout-: 3300 мА: Примечание: Dual Low Side Driver: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025940

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR4426SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 2: Iout+: 2300 мА: Iout-: 3300 мА: Примечание: Dual Low Side Driver: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025941

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR4427PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 2: Iout+: 2300 мА: Iout-: 3300 мА: Примечание: Dual Low Side Driver: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025942

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRAMS06UP60A Модуль IGBT транзисторов IGBT силовой модуль: 3 фазы, 600 В. 6 А.
Тип корпуса: SIP-1 Производитель: INFIN код товара: 00-00049015

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRAMS10UP60A Модуль IGBT транзисторов Тип двигателя: 3-Phase AC, Число двигателей: 1, Напряжение выходное: 600В, Напряжение: 12 V ~ 20 V, Ток выходной: 10A
Тип корпуса: SIP26-4145# Производитель: IR код товара: 00-00025950

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRAMX16UP60B Модуль IGBT транзисторов Тип двигателя: 3-Phase High Voltage, High Speed Driver. Число двигателей: 1. Напряжение выходное: 600В. Напряжение: 12 V - 20 V. Ток выходной: 16A
Тип корпуса: SIP-2 Производитель: INFIN код товара: 00-00025955

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|