СВЧ транзисторы производства MITSUBISHI

транзисторные сборки:
на базе GaAS (Арсенида Галлия) - маломощные полевые транзисторы FET; - малошумные транзисторы с высокой проводимостью; - мощные FET транзисторы.
на базе SiFR (Кремния) - слабомощные транзисторы; - мощные транзисторы;

Полупроводники — основа будущего

Полупроводники являются необходимыми компонентами для производства высокотехнологичной электроники и поэтому представляют собой основу будущего.

Mitsubishi Electric — компоненты успеха

Mitsubishi Electric является ведущей компанией на всемирном рынке полупроводников. Передовое мышление, инвестирование в современное производство, инновационные разработки и компетентный сервис — вот секрет нашего успеха.

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе

ALD110802SCL
Транзистор полевой СВЧ
Тип: Сборки MOSFET: Uси, max, В: 10: Iс, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rси, Ом: 500: Тип: 4N

Тип корпуса: SO16-150
Производитель: ALD
код товара: 00-00030943

Этот товар есть на складе

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 3 шт от 12 шт	57,50 53,34 49,53

ALD110902PAL
Транзистор полевой СВЧ
Тип: Сборки MOSFET: Uси, max, В: 10: Iс, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rси, Ом: 500: Тип: 2N

Тип корпуса: DIP8-300
Производитель: ALD
код товара: 00-00030946

Этот товар есть на складе

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 16 шт	145,00 135,26 125,60

RD01MUS1-T113
Транзистор полевой СВЧ
Транзистор MOSFET, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, SOT-89

Тип корпуса: SOT89
Производитель: MIT
код товара: 00-00053733

Этот товар есть на складе

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 8 шт от 35 шт	67,00 62,11 57,67

RD01MUS2-T113
Транзистор полевой СВЧ
RF-MOSFET 7.2V 520MHz 0.8W SOT89

Тип корпуса: SOT89
Производитель: MIT
код товара: 00-00031138

Этот товар есть на складе

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 24 шт от 104 шт	22,50 20,77 19,28

RD06HVF1-101
Транзистор полевой СВЧ
RF-MOSFET 175MHz 6W 12.5V TO220

Тип корпуса: TO-220-3
Производитель: MIT
код товара: 00-00031139

Этот товар есть на складе

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 8 шт	275,50 256,94 238,59

RD07MVS1B
Транзистор полевой СВЧ
Транзистор, ВЧ, 175МГц, 520МГц, 7Вт.

Тип корпуса: QFN-12(6x5)
Производитель: MIT
код товара: 00-00031140

Этот товар есть на складе

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 4 шт от 16 шт	147,00 136,86 127,08

RD15HVF1-101
Транзистор полевой СВЧ
RF Power Transistor, 0.05 to 1.05 GHz, 15 W, 14 dB, 12.5 V, Silicon

Тип корпуса: TO-220-3
Производитель: MIT
код товара: 00-00031142

Этот товар есть на складе

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 11 шт от 22 шт	229,00 208,77 188,56 179,13

RD16HHF1-101
Транзистор полевой СВЧ
RF Power Transistor, 0.01 to 1 GHz, 16 W, 16 dB, 12.5 V

Тип корпуса: TO-220-3
Производитель: MIT
код товара: 00-00031143

Этот товар есть на складе

Кол-во	Цена,грн	Купить
от 1 шт от 2 шт от 6 шт	377,50 343,78 310,51