Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн |

| AUIRS21811STR Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - SO8: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00049791

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| BSD316SNH6327XTSA1 Транзистор IR MOSFET N-Канал Транзистор: N-MOSFET: полевой: 30В: 1,4А: 0,5Вт: SOT363
Тип корпуса: SOT363 Производитель: INFIN код товара: 00-00056401

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| BSD840NH6327XTSA1 Транзистор IR MOSFET N-Канал Двойной МОП-транзистор, BRT, N Канал, 20 В, 880 мА, 0.27 Ом
Тип корпуса: SOT363 Производитель: INFIN код товара: 00-00064763

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Академика Павлова 120
|
|

| IGB10N60T Транзистор IGBT производства Infineon IGBT транзистор, 10 А, 2.05 В, 110 Вт, 600 В
Тип корпуса: D2PAK Производитель: INFIN код товара: 00-00059266

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IGB15N60T Транзистор IGBT производства Infineon Транзистор: IGBT: 600В: 15А: 130Вт
Тип корпуса: D2PAK Производитель: INFIN код товара: 00-00062048

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IGB20N60H3 Транзистор IGBT производства Infineon БТИЗ транзистор, 40 А, 1.95 В, 170 Вт, 600 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: D2PAK Производитель: INFIN код товара: 00-00062049

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2010PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025848

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2010SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO16 Производитель: INFIN код товара: 00-00025849

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2011PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 1000 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: IR код товара: 00-00025850

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2101PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 600 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025853

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2101STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 600 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00025854

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2102PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 600 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025855

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2102SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00025856

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2103SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 360 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025857

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2104STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 360 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025859

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2106PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйверы FET-IGBT - [DIP-8], Nнижн: 1, Nверхн: 1, Uoffset: 600 В, Iout+: 200 мА, Iout-: 350 мА, Траб: -40...125 С
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00053707

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2106SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 350 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025860

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2108SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Driver, high-/low-side,контроллер затвора, -350/200мА, 625мВт
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00044858

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21094STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Кол-во каналов: 1, Макс.напряжение смещения: 600В, Вых.ток нарастания: 200 мА, Макс.выходной ток спада: 350 мА
Тип корпуса: SO14 Производитель: IR код товара: 00-00025863

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2109SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 120 мА: Iout-: 250 мА: Опции: Вход сброса
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025865

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2110PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 500 В: Iout+: 2500 мА: Iout-: 2500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025866

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2110STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 500 В: Iout+: 2500 мА: Iout-: 2500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO16-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025867

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2111PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Примечание: Полумост - один вход: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025868

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2111SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Примечание: Полумост - один вход: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00025869

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2112PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: PDIP-14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025870

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2113STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 2500 мА: Iout-: 2500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO16-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025875

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2117PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025876

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2117SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: IR код товара: 00-00025877

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2118PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: IR код товара: 00-00025878

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2118SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025879

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2121PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Iout+: 1600 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025880

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2125PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 2000 мА: Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025881

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2125STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 2000 мА: Опции: Вход сброса, Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO16 Производитель: IR код товара: 00-00025882

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21271PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 420 мА: Опции: Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025885

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2127PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 420 мА: Опции: Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025883

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2127SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00025884

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2128SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Защита по току, Флаг защиты: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025886

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2130PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-28-600]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: DIP28 Производитель: INFIN код товара: 00-00025887

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2130SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-28]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: SO28 Производитель: INFIN код товара: 00-00025888

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2131SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-28]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: SO28 Производитель: IR код товара: 00-00025889

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2132SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-28]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 500 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: SO28 Производитель: INFIN код товара: 00-00025890

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2136PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-28-600]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 350 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: DIP28-600 Производитель: IR код товара: 00-00025892

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2136STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-28]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 350 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: SO28 Производитель: INFIN код товара: 00-00025893

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2137J Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [PLCC-68]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 220 мА: Iout-: 460 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: PLCC44 Производитель: IR код товара: 00-00025894

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2151PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025895

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21531PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025900

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21531STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Uoffset: 600 В: Iout+: 250 мА: Iout-: 250 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025901

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2153PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Двойной драйвер МОП-транзистора, полумостовой, питание 10В-20В, 250мА, 660нс
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025897

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2153STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 200 мА: Iout-: 200 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025899

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2155PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 210 мА: Iout-: 420 мА: Примечание: Полумост, 1.1us Deadtime: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025902

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2172SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT: Токовый сенсор 600В 260мВ. Uвх. 9,5...20В. Iвых. 20 мА. SO8
Тип корпуса: SO8 Производитель: IR код товара: 00-00050517

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2181SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8-118-0.65 Производитель: INFIN код товара: 00-00025920

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2183SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025921

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21844PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025924

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR21844SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025925

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2184PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025922

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2184STRPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 1900 мА: Iout-: 2300 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025923

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2213PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 1.2 кВ: Iout+: 1700 мА: Iout-: 2000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: DIP14 Производитель: INFIN код товара: 00-00025926

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2213SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 1.2 кВ: Iout+: 2000 мА: Iout-: 2500 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO16 Производитель: INFIN код товара: 00-00025927

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR22141SSPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SSOP-24]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 1.2 кВ: Iout+: 2000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Флаг защиты, Мягкое отключение
Тип корпуса: SSOP24 Производитель: IR код товара: 00-00025929

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR2214SSPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SSOP-24]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 1.2 кВ: Iout+: 2000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи, Флаг защиты, Мягкое отключение
Тип корпуса: SSOP24-150-0.65 Производитель: INFIN код товара: 00-00025928

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR25600SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 2: Uoffset: 25 В: Iout+: 2.3 А: Iout-: 3.3 А: Примечание: Low voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Dual Low Side Driver: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SOIC-8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025934

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR25602SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйверы FET-IGBT - SOIC-8-3.9, Nнижн: 1, Nверхн: 1, Uoffset: 600 В, Iout+: 130 мА, Iout-: 270 мА
Тип корпуса: SOIC-8 Производитель: INFIN код товара: 00-00056810

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR4426PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 2: Iout+: 2300 мА: Iout-: 3300 мА: Примечание: Dual Low Side Driver: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025940

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR4426SPBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]: Nнижн: 2: Iout+: 2300 мА: Iout-: 3300 мА: Примечание: Dual Low Side Driver: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: SO8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025941

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IR4427PBF Высоковольтный драйвер MOSFET-IGBT производства IR Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 2: Iout+: 2300 мА: Iout-: 3300 мА: Примечание: Dual Low Side Driver: Траб: -40...125 °C
Тип корпуса: DIP8 Производитель: INFIN код товара: 00-00025942

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRAMS06UP60A Модуль IGBT транзисторов IGBT силовой модуль: 3 фазы, 600 В. 6 А.
Тип корпуса: SIP-1 Производитель: INFIN код товара: 00-00049015

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRAMS10UP60A Модуль IGBT транзисторов Тип двигателя: 3-Phase AC, Число двигателей: 1, Напряжение выходное: 600В, Напряжение: 12 V ~ 20 V, Ток выходной: 10A
Тип корпуса: SIP26-4145# Производитель: IR код товара: 00-00025950

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRAMX16UP60B Модуль IGBT транзисторов Тип двигателя: 3-Phase High Voltage, High Speed Driver. Число двигателей: 1. Напряжение выходное: 600В. Напряжение: 12 V - 20 V. Ток выходной: 16A
Тип корпуса: SIP-2 Производитель: INFIN код товара: 00-00025955

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRC530 Транзистор IR MOSFET N-Канал Транзистор полевой N-Channel 100 В , 14 А , TO220 , 88 Вт , -55…175°C
Тип корпуса: TO-220-5-T Производитель: IR код товара: 00-00031670

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRC840 Транзистор IR MOSFET N-Канал Транзистор полевой N-Channel 60 В , 17 А , TO220 , 125 Вт , -55…150°C
Тип корпуса: TO-220-5-T Производитель: IR код товара: 00-00031672

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRCZ34 Транзистор IR MOSFET N-Канал Транзистор полевой N-Channel 60 В , 30 А , TO220 , 88 Вт , -55…175°C
Тип корпуса: TO-220-5L Производитель: IR код товара: 00-00031673

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRF1010EPBF Транзистор IR MOSFET N-Канал MOSFET транзистор: N-канал, 60 В, 81 А, 12 мОм
Тип корпуса: TO-220AB Производитель: INFIN код товара: 00-00031675

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRF1010NPBF Транзистор IR MOSFET N-Канал MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 72 А, 11 мОм
Тип корпуса: TO-220AB Производитель: INFIN код товара: 00-00031677

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|
.jpg)
| IRF1010NSTRLPBF Транзистор IR MOSFET N-Канал MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 84 А, 11 мОм
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: INFIN код товара: 00-00031678

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRF1010ZPBF Транзистор IR MOSFET N-Канал MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 94 А: Rси(вкл): 7.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
Тип корпуса: TO-200AB Производитель: INFIN код товара: 00-00031679

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRF1018EPBF Транзистор IR MOSFET N-Канал МОП-транзистор, N Канал, 79 А, 60 В, 0.0071 Ом, 10 В, 4 В
Тип корпуса: TO-220AB Производитель: INFIN код товара: 00-00031680

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRF1104PBF Транзистор IR MOSFET N-Канал MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 100 А, 9 мОм
Тип корпуса: TO-220AB Производитель: IR код товара: 00-00031681

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRF1324S-7PPBF Транзистор IR MOSFET N-Канал MOSFET транзистор: N-канал, 24 В, 429 А, 1 мОм
Тип корпуса: D2PAK-7 Производитель: IR код товара: 00-00031685

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|

| IRF1404PBF Транзистор IR MOSFET N-Канал MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 162 А, 4 мОм
Тип корпуса: TO-220AB Производитель: INFIN код товара: 00-00031686

| Этот товар есть на складе в Харькове |  | 
|
|
Этот товар находится по адресу ул. Героев Труда 12
|
|