Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
IR2010SPBF
Основные характеристики
Корпус
SOIC-16
Кол-во нижних каналов
1
Кол-во верхних каналов
1
Максимальное напряжение смещения
200В
Максимальный выходной ток нарастания
3000мА
Максимальный выходной ток спада
3000мА
Опции
Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Примечание
UVLO
Рабочая температура
-40...125°C
Specifications of IR2010SPBF
Configuration
High and Low Side, Independent
Input Type
Non-Inverting
Delay Time
95ns
Current - Peak
3A
Number Of Configurations
1
Number Of Outputs
2
High Side Voltage - Max (bootstrap)
200V
Voltage - Supply
10 V ~ 20 V
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
16-SOIC (0.300", 7.5mm Width)
Number Of Drivers
2
Driver Configuration
Non-Inverting
Driver Type
High and Low Side
Input Logic Level
CMOS/LSTTL/3.3V
Rise Time
20ns
Fall Time
25ns
Propagation Delay Time
135ns
Operating Supply Voltage (max)
20V
Peak Output Current
3mA
Power Dissipation
1.25W
Operating Supply Voltage (min)
10V
Turn Off Delay Time
15ns
Turn On Delay Time (max)
15ns
Operating Temp Range
-40C to 125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями.
Высокое качество, доступная цена, продукция на складе:
Драйверы
MOSFET-IGBT производства IR
Фирма International Rectifier выпускает широкую гамму микросхем
драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все
драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью
управления затворами приборов, работающих под напряжением до 1200 В
при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые
драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних,
полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и
трехфазных схем включения.
.jpg)
