 |
Транзистор IGBT
IGBT транзистор - (Insulated
Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную
структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого
транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота
управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое
падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного
транзистора |
Транзистор IGBT Пластиковые
Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн | 
| IRS21864SPBF Драйверы IGBT/MOSFET Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 4000 мА: Iout-: 4000 мА: Опции: Силовые/сигнальные цепи
Тип корпуса: SO14-150 Производитель: INFIN код товара: 00-00025985
|
|
| 
| IRS21867STRPBF Драйверы IGBT/MOSFET Драйвер FET-IGBT 10…20 В , 4 А , 625 мВт , 170 нс , -40…125°C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00047003
|
|
| 
| IRS2186SPBF Драйверы IGBT/MOSFET Driver, high-/low-side,контроллер затвора, -4/4А, 625мВт, SO8
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00025984
|
|
| 
| IRS23364DSPBF Драйверы IGBT/MOSFET Драйвер FET-IGBT - [SOIC-28]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 180 мА: Iout-: 330 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Тип корпуса: SO28-300 Производитель: INFIN код товара: 00-00025990
|
|
| 
| IRS2336DJPBF Драйверы IGBT/MOSFET Драйверы FET-IGBT - [PLCC-44]: Nнижн: 3: Nверхн: 3: Uoffset: 600 В: Iout+: 180 мА: Iout-: 330 мА
Тип корпуса: PLCC-44 Производитель: IR код товара: 00-00045664
|
|
| 
| IRS4426STRPBF Драйверы IGBT/MOSFET Power Driver ICs Dual Low Side DRVR 6V to 20V 1.5A 85ns
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00050963

| Этот товар есть на складе |  |
|
|
| 
| IRS4427STRPBF Драйверы IGBT/MOSFET Двойной драйвер МОП-транзистора, низкой стороны, 6В до 20В питание, 2.3А выход, КМОП, 50нс задержка
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00055755
|
|
| 
| IRS4428STRPBF Драйверы IGBT/MOSFET Драйвер FET-IGBT - SO-8: Nнижн: 2: Nверхн: 0: Uoffset: 25 В: Iout+: 2300 мА: Iout-: 3300 мА: Траб: -55...150 °C
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: INFIN код товара: 00-00050945
|
|
| 
| ISL9V3040P3 Транзистор IGBT Транзистор 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, 3 pin(s)
Тип корпуса: TO-220-3 Производитель: ONS код товара: 00-00070669
|
|
| .jpg)
| ISL9V3040S3ST-F085C Транзистор IGBT IGBT транзистор - D2PAK, 400V, N-Channel Iк 25°C: 21 А, Uкэ.нас: 1.58 В
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00052527

| Этот товар есть на складе |  |
|
|
| 
| IXGH60N60C3D1 Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 75 А, 2.2 В, 380 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: IXYS код товара: 00-00064786
|
|
| 
| IXXH30N60B3D1 Транзистор IGBT Транзистор БТИЗ, 600В, 30А, 270Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: IXYS код товара: 00-00074393
|
|
| 
| IXXH30N60C3D1 Транзистор IGBT Транзистор IGBT, GenX3™, 600В, 30А, 270Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: IXYS код товара: 00-00074394
|
|
| 
| IXXH80N65B4 Транзистор IGBT IGBT Transistors 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: IXYS код товара: 00-00069914
|
|
| 
| IXYH50N120C3D1 Транзистор IGBT IGBT 1200V 90A 625W
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: IXYS код товара: 00-00062454
|
|
| 
| MBQ60T65PESTH Транзистор IGBT Транзистор: IGBT, 600В, 61А, 159,6Вт, TO247-3
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: MagnaChip код товара: 00-00064953
|
|
| 
| NGTB15N120IHLWG Транзистор IGBT IGBT транзистор - TO-247-3 , Uкэ.макс : 1.2 кВ , 15 А , Uкэ.нас : 1.8 В
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00047168
|
|
| 
| NGTB40N135IHRWG Транзистор IGBT IGBT транзистор, 80 А, 2.4 В, 394 Вт, 1.35 кВ
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00064945
|
|
| 
| NGTG15N120FL2WG Транзистор IGBT IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 294W Through Hole TO-247-3
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00065236
|
|
| 
| NGTG15N60S1EG Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-220-3 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00065271
|
|
| 
| RJH60F7DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), 600V, 90A, 328.9W, TO247A
Тип корпуса: TO-247AC-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00063548
|
|
| 
| RJH60T04DPQ-A1#T0 Транзистор IGBT Транзистор, IGBT TRENCH, 600В, 60А,
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071298
|
|
| 
| RJH65T14DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 650 В 100 А 250 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071183
|
|
| 
| RJH65T46DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 650 В 80 A 340,9 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071297
|
|
| 
| RJP60F4DPM-00#T1 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 600 В 60 A 41,2 Вт
Тип корпуса: TO-3PFM Производитель: RENESAS код товара: 00-00071296
|
|
| 
| RJP60F5DPK-01#T0 Транзистор IGBT Транзистор IGBT 600 В 80 А 260,4 Вт
Тип корпуса: TO-3P Производитель: RENESAS код товара: 00-00071295
|
|
| 
| RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071294
|
|
| .jpg)
| SGB15N60HS Транзистор IGBT 30-100 kHz Package D2PAK (TO-263) V CE (max) 600.0 V I C(max) @ 25? 27.0 A I C(max) @ 100? 15.0 A
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: INFIN код товара: 00-00032793
|
|
| 
| SGH40N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT 600V 40A 160W
Тип корпуса: TO-3P Производитель: FAIR код товара: 00-00053109
|
|
| 
| SGH80N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT транзистор, 80 А, 2.6 В, 195 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-3P Производитель: FAIR код товара: 00-00032794
|
|
| 
| SGL160N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT транзистор - Примечание SINGLE IGBT, 600V, 160A, DC Collector Current160A.
Тип корпуса: TO-264-3 Производитель: FAIR код товара: 00-00046134
|
|
| 
| SGW30N60 Транзистор IGBT Транзистор IGBT: N-channel, 41 A при 25°C 600 V, 3-Pin TO-247
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: INFIN код товара: 00-00048314
|
|
| 
| SLM2110CG Драйверы IGBT/MOSFET 2 Non-Insulated 2.5A 10V~20V 2.5A SOIC-16-300mil Gate Drive ICs
Тип корпуса: SO16-300 Производитель: SIL код товара: 00-00070083
|
|
| 
| STF40N60M2 Транзистор IGBT Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 34 А, 0.078 Ом
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00064256
|
|
| .jpg)
| STGB10NB37LZT4 Транзистор IGBT Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00032688
|
|
| .jpg)
| STGB10NC60HD Транзистор IGBT IGBT транзистор, 10 А, 2.5 В, 65 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00066393
|
|
| .jpg)
| STGB18N40LZT4 Транзистор IGBT IGBT 425V 40A 200W
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00062434
|
|
| .jpg)
| STGB20NB37LZ Транзистор IGBT IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00062435
|
|
| .jpg)
| STGB35N35LZ-1 Транзистор IGBT Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar
Тип корпуса: TO-262(I2PAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00062436
|
|
| .jpg)
| STGD18N40LZT4 Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 25 А, 1.35 В, 125 Вт, 390 В, TO-252, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00032691
|
|
| .jpg)
| STGD3NB60SDT4 Транзистор IGBT Транзистор: IGBT: 600 В: 6 А при 25С: 48 Вт: TO-252-3
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00049812
|
|
| .jpg)
| STGD5NB120SZT4 Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 10 А, 1.2 кВ, 75 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00032692
|
|
| .jpg)
| STGD6NC60HDT4 Транзистор IGBT IGBT транзистор - [TO-252-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 7 А: Uкэ.нас: 1.9 В
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00032693
|
|
| .jpg)
| STGD7NC60HT4 Транзистор IGBT IGBT транзистор, 25 А, 1.85 В, 70 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00062627
|
|
| 
| STGF10NC60KD Транзистор IGBT IGBT транзистор, 9 А, 2.5 В, 25 Вт, 600 В, TO-220FP
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00066725
|
|
| 
| STGF14NC60KD Транзистор IGBT IGBT транзистор, 11 А, 2.5 В, 28 Вт, 600 В, TO-220FP, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00067343
|
|
| 
| STGF15H60DF Транзистор IGBT IGBT транзистор, 30 А, 1.6 В, 30 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00064164
|
|
| 
| STGF19NC60KD Транзистор IGBT IGBT транзистор, 16 А, 2 В, 32 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00063807
|
|
| 
| STGF3NC120HD Транзистор IGBT IGBT, N 1200V 3A TO-220FP
Тип корпуса: TO-220FP Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00032689
|
|
| 
| STGIPN3H60AT Модуль IGBT транзисторов Умный модуль питания (IPM), 3 фазы, IGBT, 600 В, 3 А, 1 кВ, NDIP, SLLIMM
Тип корпуса: NDIP-26L Производитель: STMicroelectronics код товара: 00-00066724
|
|
| 1 2 3 4 5 6 7
пассивные
SMD-компоненты |
|
SMD-конденсаторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
1210,
1812,
2220
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
Время генерации 0.268565 секунд Найдено 300 товаров |
Поставляемые компоненты










|