КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100 |
 |
|
Уважаемые покупатели. В связи с введенными ограничениями наши розничные
магазины будут закрыты для посещения с 8-го по 25 января. Покупателям из Харькова рекомендуем оформить заказ на сайте с доставкой Новой Почтой в удобное для Вас отделение либо получить после оплаты готовый заказ в магазине (ТОЛЬКО для частных лиц) по адресу Героев Труда 12 (сообщение о готовности заказа поступит по электронной почте). |
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор IGBT производства STMicroelectronics
STGB10NB37LZT4
Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
На складе в Харькове...
Производитель: ST
код товара: 00-00032688
 СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
Этот товар находится по адресу
ул. Героев Труда 12 | Раздел:
Транзистор IGBT производства STMicroelectronics
| | | |
|
 |
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов |
Specifications of STGB10NB37LZ
|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (max) |
440V |
Vce(on) (max) @ Vge, Ic |
1.8V @ 4.5V, 10A |
| Current - Collector (ic) (max) |
20A |
Power - Max |
125W |
| Input Type |
Logic |
Mounting Type |
Surface Mount |
| Package / Case |
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Channel Type |
N |
| Configuration |
Single |
Collector-emitter Voltage |
375V |
| Collector Current (dc) (max) |
20A |
Gate To Emitter Voltage (max) |
12V |
| Pin Count |
2 +Tab |
Mounting |
Surface Mount |
| Operating Temperature (max) |
175C |
Operating Temperature Classification |
Military |
| Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
Igbt Type |
- |
| | |
|
Транзистор IGBT производства STMicroelectronics
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) - является
продуктом развития технологии силовых транзисторов MOSFET и сочетает
в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре:
биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал
управления). Линейка IGBT-транзисторов компании STMicroelectronics
включает IGBT с рабочим напряжением 400 В для силовых инверторов,
IGBT с рабочим напряжением 600 В для мостовых и полумостовых
драйверов управления электродвигателями в стационарных устройствах и
IGBT с рабочим напряжением 900...1300 В для силовых модулей и систем
управления электродвигателями электромобилей. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
