Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель
Infineon
Категория продукта
Драйверы для
управления затвором
Продукт
Half-Bridge
Drivers
Тип
Low-Side
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип корпуса
SOIC-8
Количество драйверов
2 Driver
Количество выходов
2 Output
Выходной ток
2.3 A, 3.3 A
Напряжение питания
6 V … 20 V
Конфигурация
Non-Inverting
Время нарастания
25 ns
Время спада
25 ns
Максимальная рабочая
температура
+ 150 C
Высота
1.5 mm
Длина
5 mm
Тип логики
CMOS
Максимальное время
задержки выключения
50 ns
Максимальное время
задержки включения
50 ns
Чувствительный к
влажности
Yes
Рабочий ток источника
питания
100 uA
Выходное напряжение
6 V to 20 V
Pd - рассеивание
мощности
625 mW
Тип продукта
Gate Drivers
Задержка
распространения - макс.
95 ns
Отключение
No Shutdown
Технология
Si
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями.
Высокое качество, доступная цена, продукция на складе:
Драйверы
MOSFET-IGBT производства IR
Фирма International Rectifier выпускает широкую гамму микросхем
драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все
драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью
управления затворами приборов, работающих под напряжением до 1200 В
при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые
драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних,
полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и
трехфазных схем включения.
Поставляемые компоненты
^ Наверх
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина
.jpg)
