Транзистор IGBT Пластиковые
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн | 
| PZT2907AT1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - SOT-223: Тип: PNP: UКЭ(макс): -60 В: IК(макс): -600 мА: Pрасс: 1.5 Вт: Fгран: 200 МГц: h21: 100...300
Тип корпуса: SOT-223 Производитель: ONS код товара: 00-00052148
|
|
| 
| PZTA42H6327XTSA1 Транзистор биполярный Биполярный транзистор - SOT-223: Тип: NPN: UКЭ(макс): 300 В: IК(макс): 50 А: Pрасс: 1.5 Вт
Тип корпуса: SOT-223 Производитель: INFIN код товара: 00-00047862
|
|
| 
| PZTA44.115 Транзистор биполярный Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 20 МГц, 1.35 Вт, 300 мА, 50 hFE
Тип корпуса: SOT-223 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00032602
|
|
| 
| R6025JNZ4C13 Транзистор полевой MOSFET Транзистор N-канал 600V, 25A, 306W
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ROHM код товара: 00-00071070
|
|
| 
| RD15HVF1-101 Транзистор полевой СВЧ RF Power Transistor, 0.05 to 1.05 GHz, 15 W, 14 dB, 12.5 V, Silicon
Тип корпуса: TO-220-3 Производитель: MIT код товара: 00-00031142
|
|
| 
| RD16HHF1-101 Транзистор полевой СВЧ RF Power Transistor, 0.01 to 1 GHz, 16 W, 16 dB, 12.5 V
Тип корпуса: TO-220-3 код товара: 00-00031143
|
|
| 
| RFP50N06 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 60 В, 0.022 Ом, 10 В, 4 В
Тип корпуса: TO-220-3 Производитель: FAIR код товара: 00-00031146
|
|
| 
| RFP70N06 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 60 В, 0.014 Ом, 10 В, 4 В
Тип корпуса: TO-220-3 Производитель: FAIR код товара: 00-00031147
|
|
| 
| RJH60F7DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), 600V, 90A, 328.9W, TO247A
Тип корпуса: TO-247AC-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00063548
|
|
| 
| RJH60T04DPQ-A1#T0 Транзистор IGBT Транзистор, IGBT TRENCH, 600В, 60А,
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071298
|
|
| 
| RJH65T14DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 650 В 100 А 250 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071183
|
|
| 
| RJH65T46DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 650 В 80 A 340,9 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071297
|
|
| 
| RJP60F4DPM-00#T1 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 600 В 60 A 41,2 Вт
Тип корпуса: TO-3PFM Производитель: RENESAS код товара: 00-00071296
|
|
| 
| RJP60F5DPK-01#T0 Транзистор IGBT Транзистор IGBT 600 В 80 А 260,4 Вт
Тип корпуса: TO-3P Производитель: RENESAS код товара: 00-00071295
|
|
| 
| RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: RENESAS код товара: 00-00071294
|
|
| 
| RPR-0521RS Датчик освещенности Датчики внешней освещённости, бесконтактный, цифровой, I2C, 2.5...3.6В
Производитель: ROHM код товара: 00-00056473
|
|
| 
| RSS065N06FRATB Транзистор полевой MOSFET Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 6.5 А, 0.024 Ом
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: ROHM код товара: 00-00069868
|
|
| 
| S9011 Транзистор биполярный S9011, транзистор биполярный, NPN 20В 30мА
Тип корпуса: TO-92-3 код товара: 00-00032610
|
|
| 
| S9012 Транзистор биполярный Биполярный транзистор, PNP, -20 В, 625 мВт, -500 мА, 144 hFE (SS9012)
Тип корпуса: TO-92-3 код товара: 00-00066473
|
|
| 
| S9014 Транзистор биполярный Транзистор биполярный, NPN 45В 0.1А 450 mW (SS9014)
Тип корпуса: TO-92-3 код товара: 00-00032612
|
|
| 
| SF118B Транзистор биполярный
Тип корпуса: TO-39 Производитель: CHINA код товара: 00-00032614
|
|
| 
| SFH2505FA Фотодиод Точечный ИК-фотодиод, 4,8мм, 900нм, 750-1100нм, 15°
Производитель: OSRAM код товара: 00-00053928
|
|
| 
| SFH3015FA Фототранзистор (Q65110A9730), Фототранзистор smd 3,2х1,6мм/770-1090нм/13
Производитель: OSRAM код товара: 00-00070512
|
|
| 
| SFH309-4 Фототранзистор Фототранзистор, Длина волны макс:860нм, 35В, 12°, Линза: прозрачная, диаметр: 3мм
Производитель: OSRAM код товара: 00-00053923
|
|
| 
| SFH309-5 Фототранзистор Фототранзистор, длина волны макс:860 нм, 35В, 12°, Линза: прозрачная, диаметр:3 мм
Производитель: OSRAM код товара: 00-00053924
|
|
| 
| SFH309FA Фототранзистор Фототранзистор, длина волны макс: 900нм, 35В, 12°, длина волны: 730-1120нм
Производитель: OSRAM код товара: 00-00024066
|
|
| 
| SFH320 Фототранзистор Фототранзистор, PLCC2, длина волны макс: 980нм, 35В, 60°, Линза: прозрачная. Ipce: 16...80 ?A
Производитель: OSRAM код товара: 00-00053919
|
|
| 
| SFH320-3 Фототранзистор Фототранзистор, PLCC2, длина волны макс: 980нм, 35В, 60°, Линза: прозрачная. Ipce: 25...50 ?A
Производитель: OSRAM код товара: 00-00053920
|
|
| 
| SFH320-3/4 Фототранзистор Фототранзистор, PLCC2, длина волны макс: 980нм, 35В, 60°, Линза: прозрачная. Ipce: 25...80 ?A
Производитель: OSRAM код товара: 00-00053921
|
|
| 
| SFH325FA Фототранзистор Фототранзистор: PLCC2: ?p макс: 980нм: 35В: 60°: ?d: 750-1120нм
Производитель: OSRAM код товара: 00-00064715
|
|
| .jpg)
| SGB15N60HS Транзистор IGBT 30-100 kHz Package D2PAK (TO-263) V CE (max) 600.0 V I C(max) @ 25? 27.0 A I C(max) @ 100? 15.0 A
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: INFIN код товара: 00-00032793
|
|
| 
| SGH40N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT 600V 40A 160W
Тип корпуса: TO-3P Производитель: FAIR код товара: 00-00053109
|
|
| 
| SGH80N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT транзистор, 80 А, 2.6 В, 195 Вт, 600 В
Тип корпуса: TO-3P Производитель: FAIR код товара: 00-00032794
|
|
| 
| SGL160N60UFDTU Транзистор IGBT IGBT транзистор - Примечание SINGLE IGBT, 600V, 160A, DC Collector Current160A.
Тип корпуса: TO-264-3 Производитель: FAIR код товара: 00-00046134
|
|
| 
| SGW30N60 Транзистор IGBT Транзистор IGBT: N-channel, 41 A при 25°C 600 V, 3-Pin TO-247
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: INFIN код товара: 00-00048314
|
|
| 
| SI1902DL-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор 20 V 0.70 A
Тип корпуса: SOT323-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00049216
|
|
| 
| SI2301BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, P Канал, -2.4 А, -20 В, 0.1 Ом, -4.5 В, -950 мВ
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00032616
|
|
| 
| SI2301CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET Транзистор: МОП р-канальный: полевой: -20В: -3,1А: 1,6Вт: SOT23
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00051181
|
|
| 
| SI2302CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET Транзистор MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00032618
|
|
| 
| SI2302DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET MOSFET 20V Vds 8V Vgs
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00068950
|
|
| 
| SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор: N-Channel, 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00051182
|
|
| 
| SI2305CDS Транзистор полевой MOSFET Транзистор: МОП р-канальный: полевой: -8В: -5,8А: 1,7Вт: SOT23
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00048224
|
|
| 
| SI2307BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, P Канал, -2.5 А, -30 В, 0.063 Ом, -10 В, -3 В
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00051183
|
|
| 
| SI2307CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, P Канал, -3.5 А, -30 В, 0.073 Ом, -10 В, -1 В
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00051184
|
|
| 
| SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00051185
|
|
| 
| SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET Транзистор полевой: P Channel: Drain Source Voltage Vds:-60V: On Resistance Rds(on):285mohm: Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V: Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00051186
|
|
| 
| SI2312BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 20 В, 0.025 Ом, 4.5 В, 850 мВ
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00032619
|
|
| 
| SI2319CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00051187
|
|
| 
| SI2323DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -3,8А, 1,25 Вт, SOT23
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: VISHAY код товара: 00-00055142
|
|
| 
| SI4800BDY-E3 Транзистор полевой MOSFET Транзистор: полевой, МОП n-канальный: 30В: 9А: 2,5Вт
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: VISHAY код товара: 00-00032621
|
|
| 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46
пассивные
SMD-компоненты |
|
SMD-конденсаторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
1210,
1812,
2220
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
Время генерации 0.950142 секунд Найдено 2250 товаров |
Поставляемые компоненты










|