Фото | Описание | ЦЕНА ЗА ШТ БЕЗ НДС, грн |

| MTP3055VL Транзистор полевой MOSFET Транзистор: N-MOSFET: полевой: 60В: 12А: 48Вт
Тип корпуса: TO-220-3 Производитель: FAIR код товара: 00-00056914
|
|
|

| MUN5111T1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 35: R1: 10 кОм: R2: 10 кОм
Тип корпуса: SOT323-3 Производитель: ONS код товара: 00-00033019
|
|
|

| MUN5211T1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SC-70]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 35: R1: 10 кОм: R2: 10 кОм
Тип корпуса: SC70-3 Производитель: ONS код товара: 00-00033020
|
|
|

| MUN5214T1G Транзистор биполярный Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 47 кОм
Тип корпуса: SOT323-3 Производитель: ONS код товара: 00-00063763
|
|
|
.jpg)
| NCE82H140D Транзистор полевой MOSFET 82V 140A 220W 4.3m?@10V,20A 3V@250uA NChannel
Тип корпуса: TO-263-3(D2PAK-3) Производитель: NCE код товара: 00-00075094
|
|
|

| NCEP15T14 Транзистор полевой MOSFET N-канальный MOSFET с максимальным напряжением 150 В, током 140 А
Тип корпуса: TO-220-3 Производитель: NCE код товара: 00-00071520
|
|
|
.jpg)
| NCEP15T14D Транзистор полевой MOSFET 140 A. 340 W. 4 V. 0.0062 Ohm.
Тип корпуса: TO-263(D2PAK) Производитель: NCE код товара: 00-00071748
|
|
|
.jpg)
| NDD04N60ZT4G Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, N Канал, 4.1 А, 600 В, 1.8 Ом, 10 В, 3.9 В
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: ONS код товара: 00-00031130
|
|
|

| NDF06N60ZG Транзистор полевой MOSFET MOSFET транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 6 А: Rси(вкл): 1.2 Ом: Uзатв(макс) 30В.
Тип корпуса: TO-220F-3 Производитель: ONS код товара: 00-00047845
|
|
|

| NDS7002A Транзистор полевой MOSFET MOSFET транзистор - SOT23: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 280 мА
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00049160
|
|
|

| NDS8434 Транзистор полевой MOSFET Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 6.5 А, 0.026 Ом
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00064683
|
|
|

| NDS9948 Транзистор полевой MOSFET Транзистор: P-MOSFET x2: полевой: -60В: -2А: 2Вт: SO8: PowerTrench®
Тип корпуса: SO8-150-1.27 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00056597
|
|
|

| NGTB15N120IHLWG Транзистор IGBT IGBT транзистор - TO-247-3 , Uкэ.макс : 1.2 кВ , 15 А , Uкэ.нас : 1.8 В
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00047168
|
|
|

| NGTB40N135IHRWG Транзистор IGBT IGBT транзистор, 80 А, 2.4 В, 394 Вт, 1.35 кВ
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00064945
|
|
|

| NGTG15N120FL2WG Транзистор IGBT IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 294W Through Hole TO-247-3
Тип корпуса: TO-247-3 Производитель: ONS код товара: 00-00065236
|
|
|

| NGTG15N60S1EG Транзистор IGBT БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
Тип корпуса: TO-220-3 Производитель: ONS-FAIR код товара: 00-00065271
|
|
|

| NJT4030PT3G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-223]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 40 В: UКЭ(пад): 150 мВ: IК(макс): 3 А: Pрасс: 2 Вт: Fгран: 100 МГц
Тип корпуса: TO-261 Производитель: ONS код товара: 00-00032545
|
|
|

| NJW0281G Транзистор биполярный Биполярный транзистор: TO-3P: Тип: NPN: UКЭ(макс): 250 В: IК(макс): 15 А: Pрасс: 150 Вт
Тип корпуса: TO-3P Производитель: ONS код товара: 00-00047935
|
|
|

| NJW0302G Транзистор биполярный Биполярный транзистор: TO-3P: Тип: PNP: UКЭ(макс): 250 В: IК(макс): 15 А: Pрасс: 150 Вт
Тип корпуса: TO-3P Производитель: ONS код товара: 00-00047934
|
|
|

| NSS40201LT1G Транзистор биполярный Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 2 A 150MHz 540 mW
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00079145
|
|
|

| NSS40300MZ4T1G Транзистор биполярный Биполярный транзистор - SOT-223: Тип: PNP: UКЭ(макс): 40 В: UКЭ(пад): 400 мВ: IК(макс): 3 А
Тип корпуса: SOT-223 Производитель: ONS код товара: 00-00045006
|
|
|

| NST3906DP6T5G Транзистор биполярный Transistor, PNP, 40 V, 0.2 A, 150 DEG C, 0.42 W, SOT-963, 250 MHz
Тип корпуса: SOT-963 Производитель: ONS код товара: 00-00073746
|
|
|
.jpg)
| NTD4809NT4G Транзистор полевой MOSFET Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 58 А, 0.007 Ом
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: ONS код товара: 00-00063817
|
|
|
.jpg)
| NTD5867NLT4G Транзистор полевой MOSFET Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 20 А, 0.026 Ом
Тип корпуса: TO-252(DPAK) Производитель: ONS код товара: 00-00066335
|
|
|

| NTMFS4835NT1G Транзистор полевой MOSFET MOSFET транзистор -SO8-FL: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 104 А: Rси(вкл): 3.5...5 мОм: при Uзатв(ном): 4.5...10 В: Qзатв: 52 нКл
Тип корпуса: SO8-FL Производитель: ONS код товара: 00-00050132
|
|
|

| NTR1P02LT1G Транзистор полевой MOSFET Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -1,3А, 0,4Вт, SOT23-3
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00063261
|
|
|

| NTR4101PT1G Транзистор полевой MOSFET Small Signal MOSFET 20V 3.2A 85 mOhm Single P-Channel
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: ONS код товара: 00-00031132
|
|
|

| NTS4173PT1G Транзистор полевой MOSFET МОП-транзистор, P Канал, -1.2 А, -30 В, 0.09 Ом, -10 В, -1.15 В
Тип корпуса: SOT323-3 Производитель: ONS код товара: 00-00061843
|
|
|
| ON4843 Транзистор биполярный
Производитель: ISC код товара: 00-00032548

| Этот товар есть на складе |  |
|
|
|

| ON4873 Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT199]
Тип корпуса: SOT-199 Производитель: ISC код товара: 00-00032549

| Этот товар есть на складе |  |
|
|
|

| OPT3006YMFR Датчик освещенности Цифровой оптический датчик позволяет измерять освещенность в соответствии со спектральной характеристикой человеческого глаза, в миниатюрном исполнении. 0.01…83000 люкс
Производитель: TI код товара: 00-00054189
|
|
|

| PBSS302PD.115 Транзистор биполярный Transistor PNP 40V 4A 110MHz
Тип корпуса: TSOP-6 Производитель: NEXPERIA код товара: 00-00064000
|
|
|

| PBSS4350T.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 2 А: Pрасс: 1.2 Вт: Fгран: 100 МГц. 300 mW
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00032552
|
|
|

| PBSS4350X.115 Транзистор биполярный Биполярный транзистор: NPN 50 V 3 A, 100MHz, 1.6 W
Тип корпуса: SOT-89 Производитель: NXP код товара: 00-00032553
|
|
|

| PBSS4540X.135 Транзистор биполярный Биполярные транзисторы. NPN. Uкэ макс. 40 В. Iк: 4 А. 1,6 Вт.
Тип корпуса: SOT-89 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00032554
|
|
|

| PBSS5140T.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 40 В: IК(макс): 1 А: Pрасс: 450 мВт: Fгран: 150 МГц: h21: 160...800
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NEXPERIA код товара: 00-00032556
|
|
|

| PBSS5240T.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 2 А, 300 мВт, SOT-23, Surface Mount
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00067400
|
|
|

| PBSS5350T.215 Транзистор биполярный Транзистор PNP 50В 2А 0.48Вт
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00032557
|
|
|

| PBSS5540X.135 Транзистор биполярный Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 550 мВт, 5 А, 250 hFE
Тип корпуса: SOT-89 Производитель: NXP код товара: 00-00032558
|
|
|

| PBSS5540Z.115 Транзистор биполярный Рассеиваемая мощность 2 Вт, напряжение КЭ макс 40 В, Ток коллектора 5А
Тип корпуса: SOT-223 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00032559
|
|
|

| PD54003L Транзистор полевой СВЧ RF транзистор - [PowerFLAT 5x5], Тип: RF Power LDMOS, N-channel, Частота: 500 МГц, Мощность: 3 Вт, Усиление: 20 дБ, Ucc: 7.5 В, КПД: 55 %
Производитель: CHINA код товара: 00-00028650
|
|
|

| PDTA114ET.215 Транзистор биполярный Транзистор, PNP RET, 50В, 0.1А, R1=10кОм, R2=10кОм
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00032564
|
|
|

| PDTA114EU Транзистор биполярный Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 30: R1: 10 Ом: R2: 10 Ом
Тип корпуса: SOT323-3 Производитель: NEXPERIA код товара: 00-00032566
|
|
|

| PDTA114TT.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 200: R1: 10 Ом
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NXP код товара: 00-00032567
|
|
|

| PDTA123ET.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 30: R1: 2.2 кОм: R2: 2.2 кОм
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NXP код товара: 00-00032568
|
|
|

| PDTA124ET.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 56: R1: 22 Ом: R2: 22 Ом
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00032569
|
|
|

| PDTA143ET.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор - Примечание: PNP KLEINSIGNALTRANS. + WIDERSTДNDE,-50V
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NEX-NXP код товара: 00-00032571
|
|
|

| PDTA143ZT.215 Транзистор биполярный Биполярный транзистор - Тип: PNP: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: h21: от 100: R1: 4.7 Ом: R2: 47 Ом
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NXP код товара: 00-00032572
|
|
|

| PDTB113ET.215 Транзистор биполярный Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,5А, 250мВт, SOT23, R1: 1кОм
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NEXPERIA код товара: 00-00067490
|
|
|

| PDTB113ZT.215 Транзистор биполярный Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, -50 В, -500 мА, 1 кОм, 10 кОм
Тип корпуса: SOT23-3 Производитель: NXP код товара: 00-00032573
|
|
|