Производитель

 onsemi

Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Тип корпуса

 SOIC-8

Полярность транзистора

 NPN, PNP

Конфигурация

 Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

 3 A

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 40 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 6 V, 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 82 mV, 135 mV

Pd - рассеивание мощности

 783 mW

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 100 MHz

Рабочая температура

 - 55 C … + 150 C

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 200 at 10 mA, 2 V

Высота

 1.5 mm

Длина

 5 mm