| КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина |  | 
    
      |     |  |  |  |  |  Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
 
 
 Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
 | Транзистор полевой MOSFET IRFP460PBF
 MOSFET транзистор: N-канал, 500 В, 20 А
 
 На складе ...
 Производитель: VISH/IR
 Тип корпуса: TO-247AC-3
 код товара: 00-00032161
 
 
 | Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить | 
 | Раздел: Транзистор полевой MOSFET
 
  
 
 |  |  |  |  |  | 
 
	
		| Производитель |  Vishay 
		 |  
		| Категория продукта |  МОП-транзистор
		 |  
		| Технология |  Si  |  
		| Вид монтажа |  Through Hole
		 |  
		| Тип корпуса |  TO-247-3 
		 |  
		| Полярность 
		транзистора |  N-Channel 
		 |  
		| Количество каналов |  1 Channel 
		 |  
		| Vds - напряжение 
		пробоя сток-исток |  500 V 
		 |  
		| Id - непрерывный ток 
		утечки |  20 A  |  
		| Rds Вкл - 
		сопротивление сток-исток |  270 mOhms 
		 |  
		| Vgs - напряжение 
		затвор-исток |  - 20 V, + 20 V
		 |  
		| Vgs th - пороговое 
		напряжение затвор-исток  |  2 V  |  
		| Qg - заряд затвора |  210 nC 
		 |  
		| Рабочая температура |  - 55... +150 C
		 |  
		| Pd - рассеивание 
		мощности |  280 W 
		 |  
		| Канальный режим |  Enhancement
		 |  
		| Конфигурация |  Single 
		 |  
		| Тип транзистора |  1 N-Channel
		 |  
		| Торговая марка |  Vishay 
		Semiconductors  |  
		| Крутизна 
		характеристики прямой передачи - Мин. |  13 S  |  
		| Время спада |  58 ns 
		 |  
		| Тип продукта |  MOSFET 
		 |  
		| Время нарастания |  59 ns 
		 |  
		| Типичное время 
		задержки выключения |  110 ns 
		 |  
		| Типичное время 
		задержки при включении |  18 ns |  |  |  |  | | Мы рекомендуем покупать с этим товаром |  |  | ПОДЛОЖКА ЛИСТ 100x100 BM180 - Изоляционный материал Теплопроводная резина, прокладка с силиконовым покрытием ... 2.0 Вт / м.К: Рабочая температура: -60 ~ 200: Толщина: 0.18 мм. размер 100 на 100 мм.
 |  |  | AOS3P2 - Изоляционный материал Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm
 |  |  | NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм.
 |  |  | NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм.
 |  |  | Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3
 |  |  | SMICA SOT93 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P
 |  |  | SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая с втулкой SOT93
 |  |  | TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm
 |  |  | Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК
 |  |  | Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
 |  |  | Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
 |  |  | Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
 | 
 
  
 
 
  
 
 
	Транзистор IGBT Пластиковые
		
			| 
			Транзисторы 
			производства  International Rectifier.Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным 
			мировым лидером по производству электронных компонентов для 
			преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. 
			Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой 
			электроники и широко используется независимыми производителями.
 |  |  
	
		
			| 
			Транзистор IR MOSFET N-КаналВ течение последнего десятилетия внедрение компанией International 
			Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов 
			привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое 
			сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические 
			характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, 
			пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое 
			последнее время.
 |  | 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  | 
  
 ^ Наверх  DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, 
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи 
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, 
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, 
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары 
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, 
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП