|
Линейка надежных и
эффективных IGBT 1200 В, предназначенных для широкого круга
приложений: индукционных нагревателей, сварочных аппаратов,
высокомощных выпрямителей, бесперебойных источников питания,
солнечных батарей и других.
При производстве данных IGBT используется Field-Stop Trench (FS
Trench) технология, которая позволяет добиться значительного
уменьшения потерь на переключение и проводимость и тем самым
получить более высокую плотность мощности и более высокий КПД при
работе на высоких частотах. Новая линейка дополняет уже существующую
линейку IGBT cо стойкостью к воздействию короткого замыкания 10 мкс.
Помимо вышеперечисленных преимуществ, применение новых IGBT
позволяет уменьшить размеры радиатора, число внешних компонентов, а
также конечную стоимость разрабатываемого изделия. Диапазон токов у
новой линейки IGBT для корпусированных приборов составляет 20-50 А
для кристаллов до 150 А. Основными преимуществами новых IGBT
являются: большая квадратная область безопасной работы (RBSOA),
положительный температурный коэффициент, низкое значение Vce(on) для
уменьшения рассеиваемой мощности и получения высокой плотности
мощности.
В новой линейке транзисторы IRG7PH35UD1 и IRG7PH42UD1 обладают
устойчивостью к повторяющимся пиковым броскам напряжения до 1300 В.
Доступны IGBT как со встроенным диодом с малым временем обратного
восстановления, так и без него. Кристаллы также доступны с паяемым
металлическим покрытием на передней стороне (покрытие позволяет
корпусирование без использования проволочных соединений) для
улучшения тепловых характеристик (возможность двустороннего
охлаждения), повышения надежности и эффективности.
Характеристики:
Тип корпуса: TO-247
Напряжение К-Э максимальное: 1200 В.
Ток коллектора максимальный при 25°C: 55 А.
Ток коллектора максимальный при 100°C: 35 А.
Напряжение насыщения К-Э:1,9 В.
Время нарастания: 15 нс.
Время спада: 80 нс. |
.jpg)
.jpg)
