КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Ёмкость, мкф

Напряжение, В

Диаметр, мм

  

Уважаемые покупатели. В связи с систематическими отключениями электроэнергии возможны задержки с отгрузкой оплаченных заказов. Надеемся на ваше понимание

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
 Транзистор полевой MOSFET
IRFP450PBF
MOSFET транзистор: N-канал, 500 В, 56 А
На складе ...
Производитель: VISH/IR
Тип корпуса: TO-247AC-3
код товара: 00-00032158

СКАЧАТЬ PDF СКАЧАТЬ PDF

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 5 шт
от 21 шт


от 43 шт

115,50
105,30
95,11

90,35
Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
 

Производитель

  Vishay

Тип полевого транзистора

 N-канал

Продукт

 МОП-транзистор

Напряжение стока к источнику (Vdss)

 500 В

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

 14А (Тс)

Напряжение привода

 10 В

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

 400 мОм при 8,4 А, 10 В

Vgs(th) (Макс) @ Id

 4 В @ 250 мкА

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

 150 нК при 10 В

ВГС (Макс)

 ±20 В

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

 2600 пФ при 25 В

Рассеиваемая мощность (макс.)

 190 Вт (Тс)

Рабочая Температура

 -55°C ~ 150°C (ТДж)

Корпус

 TO-247AC
 
 

Мы рекомендуем покупать с этим товаром

ПОДЛОЖКА ЛИСТ 100x100 BM180 - Изоляционный материал
Теплопроводная резина, прокладка с силиконовым покрытием ... 2.0 Вт / м.К: Рабочая температура: -60 ~ 200: Толщина: 0.18 мм. размер 100 на 100 мм.
AOS3P2 - Изоляционный материал
Прокладка теплопроводящая: керамическая: Т03Р: L: 20мм: W: 23мм. Толщина 1мм. Теплопроводность 25Вт/мК. Изоляция электрическая 10кВ/мм. Диаметр монтажного отверстия 3,6 мм. Сопротивление изоляции шайбы 100Т?/cm
NIPPEL-TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 8 мм.. Внутренний диаметр: 3,1 мм. Высота: 4,5 мм.
NIPPEL-TO-3E - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO-3, Внешний диаметр: 12 мм.. Внутренний диаметр: 4,2 мм. Высота: 5 мм.
Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3
SMICA SOT93 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая 20x26мм для SOT93/TO3P
SMICA SOT93-2 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая с втулкой SOT93
TC-025-CERAMIC-TO-264 - Изоляционный материал
Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-264. Размеры: (0.635)/1mm*22mm*28mm
Изолирующая накладка для TO-3P - Изоляционный материал
Изолирующая накладка, TOP3, Силикон. Размеры: 28,5х17,5х5,8мм, 0,8Вт/мК
Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным мировым лидером по производству электронных компонентов для преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.
Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе

Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время.

IRF1
IRF2
IRF3
IRF4
IRF5
IRF6
IRF7
IRF8
IRF9
IRFB

 IRFD

 IRFH

 IRFI

 IRFL

 IRFP

 IRFR

 IRFS

 IRFU

IRFZ
IRL
IRLB

 IRLD

 IRLH

 IRLI

 IRLL

 IRLML

 IRLMS

 IRLR

 IRLS

 IRLU

 IRLZ


Поставляемые компоненты










^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП