MOSFET транзисторы в корпусе PQFN от IR

Семейство транзисторов StrongIRFET, обладающих самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала, моделями в планарных корпусах PQFN 5x6 мм.

Благодаря методам корпусирования с применением разварки кристалла на выводы корпуса с помощью медной клипсы, обеспечивающей улучшенный отвод тепла от кристалла на корпус, а также имеющей минимальное омическое сопротивление, в транзисторах удалось добиться полного сопротивления канала, сравнимого с сопротивлением транзисторов StrongIRFET в корпусах D2-PAK, но при пятикратно меньшей площади, занимаемой корпусом – 30 мм² против 155 мм².

В корпусе PQFN 5x6 мм выпускаются представители всех трех, существующих на данный момент, линеек семейства – на 40, 60 и 75 В. Транзисторы способны обеспечить реальный рабочий ток до 100 А (ограничено корпусом), а максимальная температура кристалла ограничена 150°С.

Высокая устойчивость ко внешним воздействиям, большие значения допустимого импульсного тока и невысокая цена делает эти транзисторы идеальным решением для мощных малогабаритных промышленных устройств и комплексов, в которых они могут использоваться для построения систем защиты АКБ, резервирования питания, управления двигателями постоянного тока и каскадов синхронного выпрямления в высокоэффективных источниках питания.

Основные характеристики:
Тип транзистора: N-MOSFET
Технология: HEXFET®
Полярность: полевой
Напряжение сток-исток: 40В
Ток стока: 164А
Ток стока в импульсном режиме: 1247А
Рассеиваемая мощность: 156Вт
Корпус: PQFN5X6
Напряжение затвор-исток: ±20В
Сопротивление в открытом состоянии: 1,4мОм
Монтаж: SMD
Вид канала: обогащенный