| 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRF9Z34NPBF
MOSFET силовой транзистор - [TO-200AB]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.1 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: TO-220
код товара: 00-00031954
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
|
|
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRF9Z34NPBF
Specifications of IRF9Z34NPBF
|
| Fet Type |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Standard |
| Rds On (max) @ Id, Vgs |
100 mOhm @ 10A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
55V |
| Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
19A |
Vgs(th) (max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Gate Charge (qg) @ Vgs |
35nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
620pF @ 25V |
| Power - Max |
68W |
Mounting Type |
Through Hole |
| Package / Case |
TO-220-3 (Straight Leads) |
Channel Type |
P |
| Current, Drain |
-19 A |
Gate Charge, Total |
35 nC |
| Package Type |
TO-220AB |
Polarization |
P-Channel |
| Power Dissipation |
68 W |
Resistance, Drain To Source On |
0.1 Ohm |
| Temperature, Operating, Maximum |
+175 °C |
Temperature, Operating, Minimum |
-55 °C |
| Time, Turn-off Delay |
30 ns |
Time, Turn-on Delay |
13 ns |
| Transconductance, Forward |
4.2 S |
Voltage, Breakdown, Drain To Source |
-55 V |
| Voltage, Drain To Source |
–55 V |
Voltage, Forward, Diode |
-1.6 V |
|
.jpg)
.jpg)
