| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRF9530NSPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: P: Uси: 100 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 0.2 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В Временно нет на складе...
Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-263(D2PAK) код товара: 00-00031939
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRF9530NSPBF
Specifications of IRF9530NSPBF
|
Fet Type |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Standard |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
200 mOhm @ 8.4A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
100V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
14A |
Vgs(th) (max) @ Id |
4V @ 250µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
58nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
760pF @ 25V |
Power - Max |
3.8W |
Mounting Type |
Surface Mount |
Package / Case |
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Channel Type |
P |
Current, Drain |
-14 A |
Gate Charge, Total |
58 nC |
Package Type |
D2Pak |
Polarization |
P-Channel |
Power Dissipation |
79 W |
Resistance, Drain To Source On |
0.2 Ohm |
Temperature, Operating, Maximum |
+175 °C |
Temperature, Operating, Minimum |
-55 °C |
Time, Turn-off Delay |
45 ns |
Time, Turn-on Delay |
15 ns |
Transconductance, Forward |
3.2 S |
Voltage, Breakdown, Drain To Source |
-100 V |
Voltage, Drain To Source |
–100 V |
Voltage, Forward, Diode |
-1.6 V |
Specifications of IRF9530PBF
|
Transistor Polarity |
P Channel |
Continuous Drain Current Id |
-12A |
Drain Source Voltage Vds |
-100V |
On Resistance Rds(on) |
300mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs |
-10V |
Leaded Process Compatible |
Yes |
Fet Type |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Standard |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
300 mOhm @ 7.2A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
100V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
12A |
Vgs(th) (max) @ Id |
4V @ 250µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
38nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
860pF @ 25V |
Power - Max |
88W |
Mounting Type |
Through Hole |
Package / Case |
TO-220-3 (Straight Leads) |
Minimum Operating Temperature |
- 55 C |
Configuration |
Single |
Resistance Drain-source Rds (on) |
0.3 Ohm @ 10 V |
Drain-source Breakdown Voltage |
100 V |
Gate-source Breakdown Voltage |
+/- 20 V |
Continuous Drain Current |
12 A |
Power Dissipation |
88000 mW |
Maximum Operating Temperature |
+ 175 C |
Mounting Style |
Through Hole |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET P-Канал
Несмотря на то, что P-канальные транзисторы распространены гораздо
меньше, чем их N-канальные собратья
(этим, в частности, обуславливается относительная немногочисленность
их номенклатуры), они находят свое применение в системах защиты
аккумуляторных батарей, защиты шин питания от выбросов напряжений и
системах коммутации нагрузки. |
|
Поставляемые компоненты
|