MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразователей и систем управления приводом с высоким рабочим током. Низкий уровень сопротивления открытого канала помогает улучшить термопроводимость системы - один из самых критичных параметров преобразователей с высоким рабочим током. С другом стороны, низкое напряжение затвор-исток позволяет управлять транзистором от микроконтроллера или при низком уровне заряда аккумулятора. Низкое напряжение затвор-исток также позволяет повысить эффективность при работе на малых нагрузках благодаря уменьшенному заряду затвора.

Помимо низкого сопротивления канала, новое семейство транзисторов имеет рабочий ток 195 А в корпусах TO-220, D2PAK, TO-262. Это на 60% превышает типичные номинальные параметры для данных корпусов, предлагаемые конкурентными компонентами (их рабочий ток не превышает 120А). А транзисторы в 7-выводных корпусах D2PAK достигают еще 16%-ного снижения сопротивления канала при повышении тока до 240 А, что делает их самыми надежными приборами в корпусах для поверхностного монтажа на рынке.

Высокий рабочий ток транзисторов в корпусах TO-220, D2PAK, TO-262 позволяет улучшить защиту от нежелательных выбросов напряжения, а также сократить число внешних компонентов при параллельном соединении полевых транзисторов, которое часто используется в системах с высоким рабочим током.

Особенности и преимущества нового семейства транзисторов:
- оптимизированы для управления на логическом уровне
- сверхнизкое сопротивление открытого канала при напряжении затвор-исток 4.5 В
- повышенная стойкость к нарастанию напряжения повышенная стойкость к лавинному пробою
- отличный показатель качества при напряжении затвор-исток 4.5 В
- прямоугольная область безопасной работы
- интегрированный на кристалле диод
- бессвинцовое исполнение

А целевой областью применения транзисторов являются:
- управление DC двигателями
- электроинструмент
- переключения в схемах с высоким током
- вторичные схемы синхронных выпрямителей
- высокоскоростные переключения в силовых системах

Технические параметры
 - Структура n-канал
 - Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
 - Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 380
 - Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
 - Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Vgs 0.0014 ом при 200a, 10в
 - Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 380
 - Крутизна характеристики, S 370
 - Корпус d2pak-7
 - Пороговое напряжение на затворе 1…2.5

Транзисторы производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным мировым лидером по производству электронных компонентов для преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

Высокое качество, доступная цена, продукция на складе:

MOSFET N-Канал
MOSFET P-Канал
IR StrongIRFET

Сдвоенный N-Канал
Сдвоенный P-N
Сдвоенный P-Канал

IGBT транзисторы
Драйвер MOSFET-IGBT
Модуль IGBT транзисторов

Полный перечень транзисторов IR

Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время.