КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRLR3636TRPBF Высокоскоростной мощный ключ, 60V, 99A, 6.8 mOhm, 33 nC Qg, Logic Level, D-Pak
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-252(DPAK) код товара: 00-00032410
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
Количество каналов |
1 Channel
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
60 V |
Id - непрерывный ток
утечки |
99 A |
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
6.8 mOhms
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
- 16 V, + 16 V
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
2.5 V
|
Qg - заряд затвора |
49 nC
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 175 C
|
Pd - рассеивание
мощности |
143 W
|
Канальный режим |
Enhancement |
Конфигурация |
Single
|
Время спада |
69 ns
|
Крутизна
характеристики прямой передачи - Мин. |
31 S |
Высота |
2.3 mm
|
Длина |
6.5 mm
|
Время нарастания |
216 ns
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП