| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRLR2705PBF
MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 24 А, 40 мОм
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: D-PAK
код товара: 00-00032402
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRLR2705PBF
Specifications of IRLR2705PBF
|
| Fet Type |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
| Rds On (max) @ Id, Vgs |
40 mOhm @ 17A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
55V |
| Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
28A |
Vgs(th) (max) @ Id |
2V @ 250µA |
| Gate Charge (qg) @ Vgs |
25nC @ 5V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
880pF @ 25V |
| Power - Max |
68W |
Mounting Type |
Surface Mount |
| Package / Case |
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Current, Drain |
28 A |
| Gate Charge, Total |
25 nC |
Package Type |
D-Pak (TO-252AA) |
| Polarization |
N-Channel |
Power Dissipation |
68 W |
| Resistance, Drain To Source On |
0.04 Ohm |
Temperature, Operating, Maximum |
+175 °C |
| Temperature, Operating, Minimum |
-55 °C |
Time, Turn-off Delay |
21 ns |
| Time, Turn-on Delay |
8.9 ns |
Transconductance, Forward |
11 S |
| Voltage, Breakdown, Drain To Source |
55 V |
Voltage, Forward, Diode |
1.3 V |
| Voltage, Gate To Source |
±16 V |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
.jpg)
.jpg)
