КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRLR120NPBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 11 А, 185 мОм
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: D-PAK код товара: 00-00032401
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRLR120NPBF
Specifications of IRLR120NPBF
|
Fet Type |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
185 mOhm @ 6A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
100V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
10A |
Vgs(th) (max) @ Id |
2V @ 250µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
20nC @ 5V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
440pF @ 25V |
Power - Max |
48W |
Mounting Type |
Surface Mount |
Package / Case |
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Configuration |
Single |
Transistor Polarity |
N-Channel |
Resistance Drain-source Rds (on) |
265 mOhms |
Drain-source Breakdown Voltage |
100 V |
Gate-source Breakdown Voltage |
16 V |
Continuous Drain Current |
11 A |
Power Dissipation |
39 W |
Maximum Operating Temperature |
+ 175 C |
Mounting Style |
SMD/SMT |
Fall Time |
22 ns |
Gate Charge Qg |
13.3 nC |
Minimum Operating Temperature |
- 55 C |
Rise Time |
35 ns |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП