| 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRLML5103TRPBF
MOSFET транзистор: P-канал, 30 В, 600 мОм
На складе в Харькове...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: SOT23
код товара: 00-00032381
 СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
|
|
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Specifications of IRLML5103TRPBF
|
| Fet Type |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
| Rds On (max) @ Id, Vgs |
600 mOhm @ 600mA, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
30V |
| Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
760mA |
Vgs(th) (max) @ Id |
1V @ 250µA |
| Gate Charge (qg) @ Vgs |
5.1nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
75pF @ 25V |
| Power - Max |
540mW |
Mounting Type |
Surface Mount |
| Package / Case |
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Channel Type |
P |
| Current, Drain |
-0.76 A |
Gate Charge, Total |
3.4 nC |
| Package Type |
Micro3 |
Polarization |
P-Channel |
| Power Dissipation |
540 mW |
Resistance, Drain To Source On |
0.6 Ohm |
| Temperature, Operating, Maximum |
+150 °C |
Temperature, Operating, Minimum |
-55 °C |
| Time, Turn-off Delay |
16 ns |
Time, Turn-on Delay |
8.2 ns |
| Transconductance, Forward |
0.44 S |
Voltage, Breakdown, Drain To Source |
-30 V |
| Voltage, Drain To Source |
-30 V |
Voltage, Forward, Diode |
-1.2 V |
|
.jpg)
.jpg)
