| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRLML2502TRPBF
MOSFET транзистор: N-канал, 20 В, 80 мОм
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: SOT23
код товара: 00-00032379
 СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Specifications of IRLML2502TRPBF
|
| Fet Type |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
| Rds On (max) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
20V |
| Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
4.2A |
Vgs(th) (max) @ Id |
1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (qg) @ Vgs |
12nC @ 5V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
740pF @ 15V |
| Power - Max |
1.25W |
Mounting Type |
Surface Mount |
| Package / Case |
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Channel Type |
N |
| Current, Drain |
4.2 A |
Gate Charge, Total |
8 nC |
| Package Type |
Micro3 |
Polarization |
N-Channel |
| Power Dissipation |
1.25 W |
Resistance, Drain To Source On |
0.045 Ohm |
| Temperature, Operating, Maximum |
+150 °C |
Temperature, Operating, Minimum |
-55 °C |
| Time, Turn-off Delay |
54 ns |
Time, Turn-on Delay |
7.5 ns |
| Transconductance, Forward |
5.8 S |
Voltage, Breakdown, Drain To Source |
20 V |
| Voltage, Forward, Diode |
1.2 V |
Voltage, Gate To Source |
±12 V |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
.jpg)
.jpg)
