КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

 

пассивные SMD-компоненты

конденсаторы

SMD-конденсаторы: 0402, 0603, 0805, 1206
SMD-резисторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 2010, 2512
прецизионные низкоомные резисторные сборки

SMD-индуктивности: 0603, 0805, 1206

высоковольтная керамика / керамика класс Y1 и Y2 / металлопленка CL-21X / металлопленка CL-21 MEF / полипропиленовые CBB21 CBB22 / полипропиленовые X2-MKP / высоковольтные CBB81 / для двигателей CBB61 / фазосдвигающие CBB60E / пусковые CBB65 / Полистирольные конденсаторы СL11 / Аксиальные металлопленочные конденсаторы CL-20T / Электролитические конденсаторы / Неполярные / Полимерные (твердотельные) / Тонкие для ЖК / Низкоимпедансные / Конденсаторы SMD, Серия RC

 

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор IGBT
IRG4BC30KDPBF
600V 28A 100W

На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: TO-220AB
код товара: 00-00032714

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 4 шт
от 17 шт

136,50
123,27
119,02

Раздел:
Транзистор IGBT


 

Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.



 

Производитель

  INFIN

Продукт

 IGBT-транзисторы

Корпус

  ТО-220-3

Монтаж

 Сквозное отверстие

Конфигурация

 Одиночная

Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.

 600 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 2,88 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

 - 20 В, + 20 В

Непрерывный ток коллектора при 25 C

 28 A

Pd — Рассеиваемая мощность

 100 Вт

Минимальная рабочая температура

 - 55 С.

Максимальная рабочая температура

 + 150 С

Непрерывный ток коллектора Ic Макс.

 28 А

Ток утечки затвор-эмиттер

 100 нА


 

 
 

Мы рекомендуем покупать с этим товаром

Rubber CAP TO-220 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-220
TC-025-CERAMIC-TO-220 - Изоляционный материал
Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-220. Размеры: (0.635)/1mm*14mm*20mm
NIPPEL-TO220-WHITE - Изоляционный материал
Изоляционная втулка для TO220
SMICA TO220 - Изоляционный материал
Прокладка силиконовая 18x13мм для TO220
TO220-SET - Изоляционный материал
Набор для изоляции транзисторов TO220
Mica Sheet (HOLE) 13x18x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 13x18 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным мировым лидером по производству электронных компонентов для преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе

Транзистор IGBT производства IR
IGBT  транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора

IRF1
IRF2
IRF3
IRF4
IRF5
IRF6
IRF7
IRF8
IRF9
IRFB

IRFD

IRFH

IRFI

IRFL

IRFP

IRFR

IRFS

IRFU

IRFZ
IRL
IRLB

IRLD

IRLH

IRLI

IRLL

IRLML

IRLMS

IRLR

IRLS

IRLU

IRLZ


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП