| 
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
 
       | 
        | 
    
    
      
    |   |   |   |       .jpg)  Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия |       Транзистор полевой MOSFET IRFH7911TR2PBF N-MOSFET x2, польовий, 30В, 13А, 2,4Вт, Dual PQFN5X6
  На складе ... Производитель: IR Тип корпуса: PQFN-18(5x6) код товара: 00-00032058
 
 Кол-во  | Цена без НДС, грн  | Купить |  
  |       Раздел: Транзистор полевой MOSFET
  
 
  |      |   |   | 
	
		
			| 
			 
			
			   | 
			
			 
			International Rectifier Corporation - 
			Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых 
			полупроводниковых компонентов. Номенклатура изделий International 
			Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко 
			используется независимыми производителями.   | 
		 
	 
 
  
  
	
		| 
		 Продукт  | 
		
		  МОП-транзистор
		  | 
	 
	
		| 
		 Конфигурация  | 
		
		  2 N-канала 
		(двойной)  | 
	 
	
		| 
		 Напряжение стока к 
		источнику (Vdss)  | 
		
		  30 В  | 
	 
	
		| 
		 Ток — непрерывный 
		сток (Id) при 25°C  | 
		
		  13А, 28А  | 
	 
	
		| 
		 Rds включен (макс.) 
		@ Id, Vgs  | 
		
		  8,6 мОм при 12 А, 
		10 В  | 
	 
	
		| 
		 Vgs(th) (Макс) @ Id  | 
		
		  2,35 В @ 25 мкА  | 
	 
	
		| 
		 Заряд затвора (Qg) 
		(Макс.) @ Vgs  | 
		
		  12 нК при 4,5 В  | 
	 
	
		| 
		 Входная емкость (СНПЧ) 
		(макс.) @ Vds  | 
		
		  1060пФ при 15В  | 
	 
	
		| 
		 Мощность - Макс.  | 
		
		  2,4 Вт, 3,4 Вт  | 
	 
	
		| 
		 Корпус  | 
		
		  PQFN  | 
	 
 
  |   |   |    
	
		
			| 
			 
			Транзисторы 
			производства  International Rectifier. 
			Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным 
			мировым лидером по производству электронных компонентов для 
			преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. 
			Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой 
			электроники и широко используется независимыми производителями.  | 
			
			  | 
		 
		 
 
Транзистор IGBT Пластиковые
	
		
			| 
			 
			Транзистор IR MOSFET N-Канал 
			В течение последнего десятилетия внедрение компанией International 
			Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов 
			привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое 
			сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические 
			характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, 
			пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое 
			последнее время.   | 
		 
	 
 
 | 
      
 
 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
 | 
    
  
 ^ Наверх  DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, 
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи 
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, 
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, 
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары 
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, 
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП