КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRFH7911TR2PBF
На складе ... Производитель: IR Тип корпуса: PQFN код товара: 00-00032058
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
International Rectifier Corporation -
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых
полупроводниковых компонентов. Номенклатура изделий International
Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко
используется независимыми производителями. |
IRFH7911TR2PBF
Specifications of IRFH7911TR2PBF
|
Fet Type |
2 N-Channel (Dual) |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
8.6 mOhm @ 12A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
30V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
13A, 28A |
Vgs(th) (max) @ Id |
2.35V @ 25µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
12nC @ 4.5V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
1060pF @ 15V |
Power - Max |
2.4W, 3.4W |
Mounting Type |
Surface Mount |
Package / Case |
18-PowerVQFN |
Module Configuration |
Dual |
Transistor Polarity |
N Channel |
Continuous Drain Current Id |
13A |
Drain Source Voltage Vds |
30V |
On Resistance Rds(on) |
0.0086ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs |
10V |
Threshold |
RoHS Compliant |
Configuration |
Dual |
Resistance Drain-source Rds (on) |
14.5 mOhms |
Drain-source Breakdown Voltage |
30 V |
Gate-source Breakdown Voltage |
20 V |
Continuous Drain Current |
13 A |
Power Dissipation |
2.4 W |
Gate Charge Qg |
8.3 nC |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП