|
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRFB23N15DPBF
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 150 В: Iс(25°C): 23 А: Rси(вкл): 90 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 30 В
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: TO-220-3
код товара: 00-00031960
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
|
Производитель |
INFIN |
|
Тип полевого
транзистора |
N-канал |
|
Продукт |
МОП-транзистор
|
|
Напряжение
сток-исток (Vdss) |
150 В |
|
Ток — непрерывный,
слив (Id) при 25°C |
23А (Тс) |
|
Рабочее напряжение
(макс. Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл)) |
10 В |
|
Rds(On) (Макс.) при
Id, Vgs |
90 мОм при 14 А,
10 В |
|
Vgs(th) (макс.) при
Id |
5,5 В при 250 мкА |
|
Плата за ворота (Qg)
(Макс.) при Vgs |
56 нК при 10 В |
|
ВГС (Макс.) |
±30 В |
|
Входная емкость (Цисс.)
(макс.) при Vds |
1200пФ при 25В |
|
Потеря мощности
(макс.) |
3,8 Вт (Та), 136
Вт (Тс) |
|
Рабочая температура |
От -55°C до 175°C
(ТДж) |
|
Корпус |
TO-220AB |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
.jpg)
