КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRF9952TRPBF Полевой транзистор. Сдвоенный P-N канальный. 30V. 3.5A. -2.3A
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: SO8 код товара: 00-00031948
СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRF9952TRPBF
Specifications of IRF9952TRPBF
|
Fet Type |
N and P-Channel |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
100 mOhm @ 2.2A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
30V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
3.5A, 2.3A |
Vgs(th) (max) @ Id |
1V @ 250µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
14nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
190pF @ 15V |
Power - Max |
2W |
Mounting Type |
Surface Mount |
Package / Case |
8-SOIC (3.9mm Width) |
Transistor Polarity |
N and P-Channel |
Resistance Drain-source Rds (on) |
150 mOhms |
Drain-source Breakdown Voltage |
30 V |
Gate-source Breakdown Voltage |
20 V |
Continuous Drain Current |
3.5 A |
Power Dissipation |
2 W |
Mounting Style |
SMD/SMT |
Gate Charge Qg |
6.9 nC |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
Other names |
IRF9952PBFTR
IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBFTR |
|
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
В течение
последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier
TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к
появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление
открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. |
|
Рекомендуем для покупки с этим товаром |
|
Переходник -
Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса
150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для
микросхем в корпусе SOIC.
Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для
установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты
при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть
корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая
микросхему для безопасной замены. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП