| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRF9332PBF
MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Iс(25°C): 9.8 А: Rси(вкл): 17.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: SO8
код товара: 00-00031924
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRF9332PBF
Specifications of IRF9332PBF
|
| Input Capacitance (ciss) @ Vds |
1270pF @ 25V |
Fet Type |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Fet Feature |
Logic Level Gate |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
17.5 mOhm @ 9.8A, 10V |
| Drain To Source Voltage (vdss) |
30V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
9.8A |
| Vgs(th) (max) @ Id |
2.4V @ 25µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
14nC @ 10V |
| Power - Max |
2.5W |
Mounting Type |
Surface Mount |
| Package / Case |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Transistor Polarity |
P Channel |
| Drain Source Voltage Vds |
-30V |
On Resistance Rds(on) |
13600µohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs |
-10V |
Operating Temperature Range |
-55°C To +150°C |
| Transistor Case Style |
SOIC |
Rohs Compliant |
Yes |
| Resistance Drain-source Rds (on) |
28.1 mOhms |
Drain-source Breakdown Voltage |
- 30 V |
| Gate-source Breakdown Voltage |
20 V |
Continuous Drain Current |
- 9.8 A |
| Power Dissipation |
2.5 W |
Mounting Style |
SMD/SMT |
| Gate Charge Qg |
14 nC |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
Specifications of IRF9333PBF
|
| Fet Type |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
| Rds On (max) @ Id, Vgs |
19.4 mOhm @ 9.2A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
30V |
| Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
9.2A |
Vgs(th) (max) @ Id |
2.4V @ 25µA |
| Gate Charge (qg) @ Vgs |
38nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
1110pF @ 25V |
| Power - Max |
2.5W |
Mounting Type |
Surface Mount |
| Package / Case |
8-SOIC (3.9mm Width) |
Transistor Polarity |
P Channel |
| Drain Source Voltage Vds |
-30V |
On Resistance Rds(on) |
15.6mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs |
-10V |
Operating Temperature Range |
-55°C To +150°C |
| Transistor Case Style |
SOIC |
Rohs Compliant |
Yes |
| Resistance Drain-source Rds (on) |
32.5 mOhms |
Drain-source Breakdown Voltage |
- 30 V |
| Gate-source Breakdown Voltage |
20 V |
Continuous Drain Current |
- 9.2 A |
| Power Dissipation |
2.5 W |
Mounting Style |
SMD/SMT |
| Gate Charge Qg |
14 nC |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET P-Канал
Несмотря на то, что P-канальные транзисторы распространены гораздо
меньше, чем их N-канальные собратья
(этим, в частности, обуславливается относительная немногочисленность
их номенклатуры), они находят свое применение в системах защиты
аккумуляторных батарей, защиты шин питания от выбросов напряжений и
системах коммутации нагрузки. |
| |
Рекомендуем для покупки с этим товаром |
|
 |
Переходник -
Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса
150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для
микросхем в корпусе SOIC.
Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для
установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты
при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть
корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая
микросхему для безопасной замены. |
|
Поставляемые компоненты
|
.jpg)
.jpg)
