КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRF840APBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 0.85 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 30 В
На складе ... Производитель: VISH/IR Тип корпуса: TO-220AB код товара: 00-00031912
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
IRF840APBF
Specifications of IRF840APBF
|
Transistor Polarity |
N Channel |
Continuous Drain Current Id |
8A |
Drain Source Voltage Vds |
500V |
On Resistance Rds(on) |
850mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs |
10V |
Threshold Voltage Vgs Typ |
4V |
Fet Type |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Standard |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
850 mOhm @ 4.8A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
500V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
8A |
Vgs(th) (max) @ Id |
4V @ 250µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
38nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
1018pF @ 25V |
Power - Max |
125W |
Mounting Type |
Through Hole |
Package / Case |
TO-220-3 (Straight Leads) |
Minimum Operating Temperature |
- 55 C |
Configuration |
Single |
Resistance Drain-source Rds (on) |
0.85 Ohm @ 10 V |
Drain-source Breakdown Voltage |
500 V |
Gate-source Breakdown Voltage |
+/- 30 V |
Continuous Drain Current |
8 A |
Power Dissipation |
125000 mW |
Maximum Operating Temperature |
+ 150 C |
Mounting Style |
Through Hole |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП