|
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRF820PBF
MOSFET силовой транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
На складе ...
Производитель: VISH/IR
Тип корпуса: TO-220
код товара: 00-00031905
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
IRF820PBF
Specifications of IRF820PBF
|
| Transistor Polarity |
N Channel |
Continuous Drain Current Id |
2.5A |
| Drain Source Voltage Vds |
500V |
On Resistance Rds(on) |
3ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs |
10V |
Threshold Voltage Vgs Typ |
4V |
| Fet Type |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Standard |
| Rds On (max) @ Id, Vgs |
3 Ohm @ 1.5A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
500V |
| Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
2.5A |
Vgs(th) (max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Gate Charge (qg) @ Vgs |
24nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
360pF @ 25V |
| Power - Max |
50W |
Mounting Type |
Through Hole |
| Package / Case |
TO-220-3 (Straight Leads) |
Minimum Operating Temperature |
- 55 C |
| Configuration |
Single |
Resistance Drain-source Rds (on) |
3 Ohm @ 10 V |
| Drain-source Breakdown Voltage |
500 V |
Gate-source Breakdown Voltage |
+/- 20 V |
| Continuous Drain Current |
2.5 A |
Power Dissipation |
50000 mW |
| Maximum Operating Temperature |
+ 150 C |
Mounting Style |
Through Hole |
| | |
|
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
 |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
.jpg)
