КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости
перейти в раздел "Конденсаторы"
0,033mkf -
0,047mkf -
0,068mkf -
0,01mkf -
0,1mkf -
0,22mkf -
0,33mkf -
0,47mkf -
0,68mkf -
1mkf -
2,2mkf -
3,3mkf -
4,7mkf -
10mkf -
22mkf -
33mkf -
47mkf -
68mkf -
82mkf -
100mkf -
120mkf -
150mkf -
220mkf -
330mkf -
470mkf -
560mkf -
680mkf -
820mkf -
1000mkf -
1500mkf -
2200mkf -
3300mkf -
4700mkf -
6800mkf -
10000mkf -
15000mkf -
22000mkf -
33000mkf -
47000mkf -
68000mkf -
100000mkf -
220000mkf -
330000mkf -
470000mkf -
680000mkf -
1000000mkf
Все
0,033
0,047
0,068
0,01
0,1
0,22
0,33
0,47
0,68
1
2,2
3,3
4,7
10
22
33
47
68
82
100
120
150
220
330
470
560
680
820
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
220000
330000
470000
680000
1000000
Напряжение, В
Все
6,3v
10v
16v
25v
35v
50v
63v
100v
160v
200v
250v
350v
400v
450v
Диаметр, мм
Все
3
4
5
6,3
8
10
11
12
12.5
13
16
18
22
25
30
34
35
40
51
64
76
89
90
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFETIRF7313TRPBF MOSFET транзистор - Тип: DUAL N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 6.5 А: Rси(вкл): 23...29 мОм: @Uзатв(ном): 1...3 В: Uзатв(макс): 20 ВНа складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: SO8 код товара: 00-00031819 Кол-во
Цена без НДС, грн
Купить
Раздел:Транзистор полевой MOSFET
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
IRF7313TRPBF
Specifications of IRF7313TRPBF
Fet Type
2 N-Channel (Dual)
Fet Feature
Standard
Rds On (max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 5.8A, 10V
Drain To Source Voltage (vdss)
30V
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C
6.5A
Vgs(th) (max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (qg) @ Vgs
33nC @ 10V
Input Capacitance (ciss) @ Vds
650pF @ 25V
Power - Max
2W
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (3.9mm Width)
Number Of Elements
2
Polarity
N
Channel Mode
Enhancement
Drain-source On-res
0.029Ohm
Drain-source On-volt
30V
Gate-source Voltage (max)
±20V
Continuous Drain Current
6.5A
Power Dissipation
2W
Output Power (max)
Not RequiredW
Frequency (max)
Not RequiredMHz
Noise Figure
Not RequireddB
Power Gain
Not RequireddB
Drain Efficiency
Not Required%
Operating Temp Range
-55C to 150C
Operating Temperature Classification
Military
Specifications of IRF7314TRPBF
Fet Type
2 P-Channel (Dual)
Fet Feature
Logic Level Gate
Rds On (max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Drain To Source Voltage (vdss)
20V
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C
5.3A
Vgs(th) (max) @ Id
700mV @ 250µA
Gate Charge (qg) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Input Capacitance (ciss) @ Vds
780pF @ 15V
Power - Max
2W
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (3.9mm Width)
Configuration
Dual
Transistor Polarity
Dual P-Channel
Resistance Drain-source Rds (on)
98 mOhms
Drain-source Breakdown Voltage
- 20 V
Gate-source Breakdown Voltage
12 V
Continuous Drain Current
- 5.3 A
Power Dissipation
2 W
Mounting Style
SMD/SMT
Gate Charge Qg
19 nC
Continuous Drain Current Id
-5.3A
Power Dissipation Pd
2W
No. Of Pins
8
Drain Source On Resistance @ 2.7v
98mohm
Drain Source On Resistance @ 4.5v
58mohm
Rohs Compliant
Yes
Транзисторы
производства International Rectifier .
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями.
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзисторы IR Сдвоенный N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время.
Рекомендуем для покупки с этим товаром
Переходник -
Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса
150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для
микросхем в корпусе SOIC.
Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для
установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты
при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть
корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая
микросхему для безопасной замены.
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП