| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRF7240PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 40 В: Rси(вкл): 15...25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 73 нКл
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: SO8-150-1.27 код товара: 00-00031808
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRF7240PBF
Specifications of IRF7240PBF
|
Fet Type |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
15 mOhm @ 10.5A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
40V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
10.5A |
Vgs(th) (max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
110nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
9250pF @ 25V |
Power - Max |
2.5W |
Mounting Type |
Surface Mount |
Package / Case |
8-SOIC (3.9mm Width) |
Channel Type |
P |
Current, Drain |
-10.5 A |
Gate Charge, Total |
73 nC |
Package Type |
SO-8 |
Polarization |
P-Channel |
Power Dissipation |
2.5 W |
Resistance, Drain To Source On |
0.025 Ohm |
Temperature, Operating, Maximum |
+150 °C |
Temperature, Operating, Minimum |
-55 °C |
Time, Turn-off Delay |
210 ns |
Time, Turn-on Delay |
52 ns |
Transconductance, Forward |
17 S |
Voltage, Breakdown, Drain To Source |
-40 V |
Voltage, Drain To Source |
–40 V |
Voltage, Forward, Diode |
-1.2 V |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET P-Канал
Несмотря на то, что P-канальные транзисторы распространены гораздо
меньше, чем их N-канальные собратья
(этим, в частности, обуславливается относительная немногочисленность
их номенклатуры), они находят свое применение в системах защиты
аккумуляторных батарей, защиты шин питания от выбросов напряжений и
системах коммутации нагрузки. |
|
Рекомендуем для покупки с этим товаром |
|
Переходник -
Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса
150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для
микросхем в корпусе SOIC.
Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для
установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты
при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть
корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая
микросхему для безопасной замены. |
|
Поставляемые компоненты
|