| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRF7201PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 7 А: Rси(вкл): 30...50 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Uзатв(макс): 20 В
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: SO8 код товара: 00-00031802
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRF7201PBF
Specifications of IRF7201PBF
|
Fet Type |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Fet Feature |
Logic Level Gate |
Rds On (max) @ Id, Vgs |
30 mOhm @ 7.3A, 10V |
Drain To Source Voltage (vdss) |
30V |
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C |
7.3A |
Vgs(th) (max) @ Id |
1V @ 250µA |
Gate Charge (qg) @ Vgs |
28nC @ 10V |
Input Capacitance (ciss) @ Vds |
550pF @ 25V |
Power - Max |
2.5W |
Mounting Type |
Surface Mount |
Package / Case |
8-SOIC (3.9mm Width) |
Current, Drain |
7.3 A |
Gate Charge, Total |
19 nC |
Package Type |
SO-8 |
Polarization |
N-Channel |
Power Dissipation |
2.5 W |
Resistance, Drain To Source On |
0.03 Ohm |
Temperature, Operating, Maximum |
+150 °C |
Temperature, Operating, Minimum |
-55 °C |
Time, Turn-off Delay |
21 ns |
Time, Turn-on Delay |
7 ns |
Transconductance, Forward |
5.8 S |
Voltage, Breakdown, Drain To Source |
30 V |
Voltage, Forward, Diode |
1.2 V |
Voltage, Gate To Source |
±20 V |
Lead Free Status / RoHS Status |
Lead free / RoHS Compliant |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Рекомендуем для покупки с этим товаром |
|
Переходник -
Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса
150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для
микросхем в корпусе SOIC.
Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для
установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты
при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть
корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая
микросхему для безопасной замены. |
|
Поставляемые компоненты
|