КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор полевой MOSFET
IRF7104TRPBF
MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 20 В: Iс(25°C): 2.3 А: Rси(вкл): 0.25...0.4 Ом: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Uзатв(макс): 12 В

На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: SO8-150
код товара: 00-00031799

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 19 шт
от 80 шт


от 161 шт

29,00
26,78
24,86

23,62

Раздел:
Транзистор полевой MOSFET


 

Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.


IRF7104TRPBF

Specifications of IRF7104TRPBF

Fet Type 2 P-Channel (Dual) Fet Feature Logic Level Gate
Rds On (max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1A, 10V Drain To Source Voltage (vdss) 20V
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C 2.3A Vgs(th) (max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (qg) @ Vgs 25nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds 290pF @ 15V
Power - Max 2W Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (3.9mm Width) Configuration Dual
Transistor Polarity Dual P-Channel Drain-source Breakdown Voltage - 20 V
Gate-source Breakdown Voltage 12 V Continuous Drain Current - 2.3 A
Power Dissipation 2 W Mounting Style SMD/SMT
Gate Charge Qg 9.3 nC Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Other names IRF7104PBFTR
IRF7104TRPBF
IRF7104TRPBFTR
 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным мировым лидером по производству электронных компонентов для преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе

Транзисторы IR Сдвоенный P-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время.

 

Рекомендуем для покупки с этим товаром

Переходник - Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса 150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для микросхем в корпусе SOIC.


Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая микросхему для безопасной замены.

IRF1
IRF2
IRF3
IRF4
IRF5
IRF6
IRF7
IRF8
IRF9
IRFB

IRFD

IRFH

IRFI

IRFL

IRFP

IRFR

IRFS

IRFU

IRFZ
IRL
IRLB

IRLD

IRLH

IRLI

IRLL

IRLML

IRLMS

IRLR

IRLS

IRLU

IRLZ


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП