| 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
IRF640NPBF
MOSFET транзистор: N-канал, 200 В, 18 А, 150 мОм
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: TO-220AB
код товара: 00-00031779
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
|
|
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRF640NPBF от компании Infineon является
N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная
особенность МОП-транзистора обеспечивает очень низкое сопротивление в активном
состоянии, динамический dv/dt, быстрой процесс переключения и лавинные
характеристики. Поэтому силовые МОП-транзисторы широко используются в
устройствах для обеспечения высокой эффективности и надежности.
• Напряжение сток-исток (Vds) 200В
• Напряжение затвор-исток ±20В
• Сопротивление в активном состоянии 150мОм
• Рассеиваемая мощность Pd 150Вт при 25°C
• Непрерывный ток стока 18А при Vgs 10В и 25°C
• Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до 175°C
Технические параметры
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Vgs 0.15 ом при
11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 6.8
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
|
.jpg)
.jpg)
