| КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина    |  | 
    
      |     |  |  |  |  | .jpg) Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
 -3.jpg)
 Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
 | Транзистор полевой MOSFET IRF2805STRLPBF
 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 135 А, 0.0039 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
 
 На складе ...
 Производитель: INFIN
 Тип корпуса: TO-263(D2PAK)
 код товара: 00-00067970
 
 
 | Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить | 
 | Раздел: Транзистор полевой MOSFET
 
  
 
 |  |  |  |  |  | 
	
	
		| 
		
		 | 
		
		Infineon Technologies AG - крупнейший представитель 
		полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция 
		Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся 
		лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со 
		встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и 
		другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, 
		твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
		 |  
 
	
		| Технология |  Si  |  
		| Вид монтажа |  SMD/SMT 
		 |  
		| Полярность 
		транзистора |  N-Channel 
		 |  
		| Количество каналов |  1 Channel 
		 |  
		| Vds - напряжение 
		пробоя сток-исток |  55 V  |  
		| Id - непрерывный ток 
		утечки |  135 A 
		 |  
		| Rds Вкл - 
		сопротивление сток-исток |  4.7 mOhms 
		 |  
		| Vgs - напряжение 
		затвор-исток |  - 20 V, + 20 V
		 |  
		| Vgs th - пороговое 
		напряжение затвор-исток  |  4 V  |  
		| Qg - заряд затвора |  150 nC 
		 |  
		| Минимальная рабочая 
		температура |  - 55 C 
		 |  
		| Максимальная рабочая 
		температура |  + 175 C 
		 |  
		| Pd - рассеивание 
		мощности |  200 W 
		 |  
		| Канальный режим |  Enhancement
		 |  
		| Конфигурация |  Single 
		 |  
		| Время спада |  110 ns 
		 |  
		| Высота |  2.3 mm 
		 |  
		| Длина |  6.5 mm 
		 |  
		| Время нарастания |  120 ns 
		 |  
		| Тип транзистора |  1 N-Channel
		 |  
		| Типичное время 
		задержки выключения |  68 ns 
		 |  
		| Типичное время 
		задержки при включении |  14 ns 
		 |  
		| Ширина |  6.22 mm 
		 |  
		| Вес изделия |  4 g |  |  |  |  | 
 -3.jpg) 
 
 
 -5.jpg) 
 
 
	Транзистор IGBT Пластиковые
		
			| 
			Транзисторы 
			производства  International Rectifier.Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным 
			мировым лидером по производству электронных компонентов для 
			преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов. 
			Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой 
			электроники и широко используется независимыми производителями.
 |  |  
	
		
			| 
			Транзистор IR MOSFET N-КаналВ течение последнего десятилетия внедрение компанией International 
			Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов 
			привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое 
			сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические 
			характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, 
			пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое 
			последнее время.
 |  | 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  | 
  
 ^ Наверх  DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, 
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи 
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, 
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, 
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары 
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, 
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП