КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRF1404PBF MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 162 А, 4 мОм
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-220AB код товара: 00-00031686
СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
IRF1404PBF N-канальный МОП-транзистор (MOSFET). |
Предназначены для использования в телекоммуникационной,
измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике
и другой радиоэлектронной аппаратуре. |
Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 40 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 162 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) 4 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора 10 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 160 нКл
Рассеиваемая мощность 200 Вт
Корпус TO-220-3
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Parametrics |
IRF1404 |
ID max |
115.0 A |
ID (@
TC=25°C)
max |
162.0 A |
ID (@
TC=100°C)
max |
115.0 A |
Ptot max |
200.0 W |
Package |
TO-220 |
Polarity |
N |
QG |
160.0 nC |
Qgd |
42.0 nC |
RDS
(on) (@10V) max |
4.0 mΩ |
RDS
(on) max |
4.0 mΩ |
RthJC max |
0.75 K/W |
Tj max |
175.0 °C |
VDS max |
40.0 V |
VGS max |
20.0 V |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП