КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина 
 
	
		
			
			
			
			
			конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости   
 
			
			
			перейти в раздел "Конденсаторы"  
 
		 
		
			 
			
			
0,033mkf  -
0,047mkf  -
0,068mkf  -
0,01mkf  -
0,1mkf  -
0,22mkf  -
0,33mkf  -
0,47mkf  -
0,68mkf  -
1mkf  -
2,2mkf  -
3,3mkf  -
4,7mkf  -
10mkf  - 
22mkf  - 
33mkf  -
47mkf  - 
68mkf  - 
82mkf  -
100mkf  -
120mkf  -
150mkf  -
220mkf  -
330mkf  -
470mkf  -
560mkf  -
680mkf  -
820mkf  -
1000mkf  -
1500mkf  -
2200mkf  -
3300mkf  -
4700mkf  -
6800mkf  -
10000mkf  -
15000mkf  -
22000mkf  -
33000mkf  -
47000mkf  -
68000mkf  -
100000mkf  -
220000mkf  -
330000mkf  -
470000mkf  -
680000mkf  -
1000000mkf 
 
			  
		 
	
 
	
		
		  
		
		
Все 
0,033 
0,047 
0,068 
0,01 
0,1 
0,22 
0,33 
0,47 
0,68 
1 
2,2 
3,3 
4,7 
10  
22  
33 
47  
68  
82 
100 
120 
150 
220 
330 
470 
560 
680 
820 
1000 
1500 
2200 
3300 
4700 
6800 
10000 
15000 
22000 
33000 
47000 
68000 
100000 
220000 
330000 
470000 
680000 
1000000 
  
		
		
		
 
	 
	
		
Напряжение, В 
 
		
		
Все 
6,3v 
10v 
16v 
25v 
35v 
50v 
63v 
100v 
160v 
200v 
250v 
350v 
400v 
450v 
  
	 
	
		
Диаметр, мм 
 
		
		
Все 
3 
4 
5 
6,3 
8 
10 
11 
12 
12.5 
13 
16 
18 
22 
25 
30 
34 
35 
40 
51 
64 
76 
89 
90 
 
		  
	 
        
       
    
      
        Нажми на картинку, чтобы увеличить ее 
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFETSI7848BDP-T1-E3 Транзистор: МОП n-канальный: полевой: 40 В: 16 А: 4,2 Вт: SO8Производитель: VISHAY  Тип корпуса: PowerPAK-SO8  код товара: 00-00049792  Кол-во
Цена без НДС, грн
Купить 
  Раздел:Транзистор полевой MOSFET    
	
		
		Производитель 
 
		
		 Vishay  
		
 
	 
	
		
		Категория продукта 
 
		
		 МОП-транзистор
		 
 
	 
	
		
		Id - непрерывный ток 
		утечки 
 
		
		 16 A  
 
	 
	
		
		Vds - напряжение 
		пробоя сток-исток 
 
		
		 40 V  
 
	 
	
		
		Rds Вкл - 
		сопротивление сток-исток 
 
		
		 9 mOhms  
		
 
	 
	
		
		Полярность 
		транзистора 
 
		
		 N-Channel  
		
 
	 
	
		
		Vds - напряжение 
		пробоя затвор-исток 
 
		
		 20 V  
 
	 
	
		
		Максимальная рабочая 
		температура 
 
		
		 + 150 C  
		
 
	 
	
		
		Pd - рассеивание 
		мощности 
 
		
		 4.2 W  
		
 
	 
	
		
		Вид монтажа 
 
		
		 SMD/SMT  
		
 
	 
	
		
		Тип корпуса 
 
		
		 SO-8  
 
	 
	
		
		Канальный режим 
 
		
		 Enhancement
		 
 
	 
	
		
		Конфигурация 
 
		
		 Single  
		
 
	 
	
		
		Время спада 
 
		
		 10 ns  
		
 
	 
	
		
		Минимальная рабочая 
		температура 
 
		
		 - 55 C  
		
 
	 
	
		
		Время нарастания 
 
		
		 12 ns, 15 ns
		 
 
	 
	
		
		Типичное время 
		задержки выключения 
 
		
		 25 ns, 30 ns
		 
 
	 
	
		
		Typical Turn-On 
		Delay Time 
 
		
		 25 ns, 10 ns 
 
	 
    
	
		
			
			
			 
 
			
			
			Транзистор полевой MOSFET 
			Полевой транзистор 
			с изолированным затвором. 
 
		 
	
 
Транзистор IGBT Пластиковые 
  
      
 
 
     
  
 ^ Наверх  DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, 
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи 
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, 
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, 
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары 
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, 
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП