Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Специальное предложение со склада на продукцию STMicroelectronics — микроэлектронной компании, одной из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET SI2323DS-T1-E3 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -3,8А, 1,25 Вт, SOT23 На складе ... Производитель: VISHAY Тип корпуса: SOT-23 код товара: 00-00055142 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 14 шт от 61 шт 38,00 35,04 32,54 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Specifications of SI2323DS-T1-E3 Transistor Polarity P-Channel Fet Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide Fet Feature Logic Level Gate Rds On (max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V Drain To Source Voltage (vdss) 20V Current - Continuous Drain (id) @ 25° C 3.7A Vgs(th) (max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (qg) @ Vgs 19nC @ 4.5V Input Capacitance (ciss) @ Vds 1020pF @ 10V Power - Max 750mW Mounting Type Surface Mount Package / Case SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 Minimum Operating Temperature - 55 C Configuration Single Resistance Drain-source Rds (on) 0.039 Ohm @ 4.5 V Drain-source Breakdown Voltage 20 V Gate-source Breakdown Voltage +/- 8 V Continuous Drain Current 3.7 A Power Dissipation 750 mW Maximum Operating Temperature + 150 C Mounting Style SMD/SMT Continuous Drain Current Id -4.7A Drain Source Voltage Vds -20V On Resistance Rds(on) 39mohm Rds(on) Test Voltage Vgs -4.5V Threshold Voltage Vgs Typ -1V     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор с изолированным затвором. MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП