КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор полевой MOSFET
SI2301BDS-T1-E3
МОП-транзистор, P Канал, -2.4 А, -20 В, 0.1 Ом, -4.5 В, -950 мВ

На складе ...
Производитель: VISHAY
Тип корпуса: SOT-23
код товара: 00-00032616

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 26 шт
от 114 шт

20,50
18,92
17,57

Раздел:
Транзистор полевой MOSFET


 

SI2301BDS-T1-E3

Specifications of SI2301BDS-T1-E3

Transistor Polarity P-Channel Fet Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Fet Feature Logic Level Gate Rds On (max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Drain To Source Voltage (vdss) 20V Current - Continuous Drain (id) @ 25° C 2.2A
Vgs(th) (max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (qg) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Input Capacitance (ciss) @ Vds 375pF @ 6V Power - Max 700mW
Mounting Type Surface Mount Package / Case SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Minimum Operating Temperature - 55 C Configuration Single
Resistance Drain-source Rds (on) 0.1 Ohm @ 4.5 V Drain-source Breakdown Voltage 20 V
Gate-source Breakdown Voltage +/- 8 V Continuous Drain Current 2.2 A
Power Dissipation 700 mW Maximum Operating Temperature + 150 C
Mounting Style SMD/SMT Continuous Drain Current Id -2.2A
Drain Source Voltage Vds -20V On Resistance Rds(on) 100mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs -4.5V Threshold Voltage Vgs Typ -950mV
 
 






Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП