Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Специальное предложение со склада на продукцию STMicroelectronics — микроэлектронной компании, одной из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор биполярный PBSS302PD.115 Transistor PNP 40V 4A 110MHz На складе ... Производитель: NEXPERIA Тип корпуса: TSOP6 код товара: 00-00064000 СКАЧАТЬ PDF Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 76 шт от 325 шт 7,50 6,62 6,15 Раздел: Транзистор биполярный   Один из ведущих поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды) Производитель Nexperia Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT Вид монтажа SMD/SMT Тип корпуса TSOP-6 Полярность транзистора PNP Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V Максимальный постоянный ток коллектора - 15 A Pd - рассеивание мощности 360 mW Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 110 MHz Рабочая температура - 65 ... + 150 C Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 200 at 500 mA, 2V Непрерывный коллекторный ток - 4 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП