Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
IR2130PBF
Основные характеристики
Корпус
DIP-28-300
Кол-во нижних каналов
3
Кол-во верхних каналов
3
Максимальное напряжение смещения
600В
Максимальный выходной ток нарастания
250мА
Максимальный выходной ток спада
500мА
Опции
Силовые/сигнальные цепи, Защита по току, Флаг защиты
Рабочая температура
-40...125°C
Specifications of IR2130PBF
Configuration
3 Phase Bridge
Input Type
Inverting
Delay Time
675ns
Current - Peak
200mA
Number Of Configurations
1
Number Of Outputs
3
High Side Voltage - Max (bootstrap)
600V
Voltage - Supply
10 V ~ 20 V
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
28-DIP (0.600", 15.24mm)
Number Of Drivers
6
Driver Configuration
Inverting
Driver Type
High and Low Side
Input Logic Level
CMOS/LSTTL/2.5V
Rise Time
125ns
Fall Time
55ns
Propagation Delay Time
850ns
Operating Supply Voltage (max)
20V
Peak Output Current
500mA
Power Dissipation
1.5W
Operating Supply Voltage (min)
10V
Operating Temp Range
-40C to 125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Mounting
Through Hole
Pin Count
28
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями.
Высокое качество, доступная цена, продукция на складе:
Драйверы
MOSFET-IGBT производства IR
Фирма International Rectifier выпускает широкую гамму микросхем
драйверов для управления затворами IGBT и полевых транзисторов. Все
драйверы выпускаются в DIP и SMD исполнении с возможностью
управления затворами приборов, работающих под напряжением до 1200 В
при макс. выходном напряжении на затворе до 20 В. Выпускаемые
драйверы предназначены для управления затворами верхних, нижних,
полумостовых, верхних и нижних, раздельных трехфазных мостовых и
трехфазных схем включения.
Поставляемые компоненты
^ Наверх
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина
.jpg)
