Diodes
Incorporated — мировой производитель и поставщик стандартных
продуктов для конкретных приложений на рынках дискретных, логических,
аналоговых полупроводников и полупроводниковых приборов со смешанными
сигналами.
Производитель
Diodes
Incorporated
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип корпуса
SOT-23-3
Полярность
транзистора
NPN
Конфигурация
Single
Максимальный
постоянный ток коллектора
2.5 A
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
20 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
7 V
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
130 mV
Pd - рассеивание
мощности
625 mW
Произведение
коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
