Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью 35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор биполярный BCR08PNH6327 Транзистор: NPN / PNP: биполярный: комплементарная пара: 50 В На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: SOT363 код товара: 00-00052306 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 193 шт от 831 шт 3,00 2,59 2,41 Раздел: Транзистор биполярный   Infineon Technologies AG - крупнейший представитель полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое. Производитель  Infineon Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Полярность транзистора  NPN, PNP Типичное входное сопротивление  2.2 kOhms Типичный коэффициент деления резистора  0.047 Вид монтажа  SMD/SMT Тип корпуса  SOT-363 Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)  70 Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.  50 V Непрерывный коллекторный ток  100 mA Пиковый постоянный ток коллектора  100 mA Pd - рассеивание мощности  250 mW Серия  BCR08 Напряжение эмиттер-база (VEBO)  50 V Максимальный постоянный ток коллектора  100 mA Количество каналов  2 Channel     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП