Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
DC интеллектуальный ключ VND5N07TR-E МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 70 В, 0.2 Ом, 10 В, 55 В На складе ... Производитель: ST Тип корпуса: TO-252 код товара: 00-00030257
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов
Категория продукта
МОП-транзистор
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип
корпуса
TO-252-3
Количество каналов
1 Channel
Полярность
транзистора
N-Channel
Id - непрерывный ток
утечки
5 A
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток
200 mOhms
Qg - заряд затвора
18 nC
Конфигурация
Single
Pd - рассеивание
мощности
60 W
Канальный режим
Enhancement
Квалификация
AEC-Q101
Серия
VND5N07-E
Тип транзистора
1 N-Channel
OMNIFET II Power MOSFET
Тип
Power MOSFET
Время спада
40 ns, 1100 ns
Время нарастания
60 ns, 400 ns
Подкатегория
MOSFETs
Вес изделия
4 g
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление.