| 
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
 
       | 
        | 
    
    
      
    |   |   |   |       .jpg)  Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия |       Транзистор биполярный STD13003T4 Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 20W
  На складе ... Производитель: ST Тип корпуса: TO-252(DPAK) код товара: 00-00064313
 
   СКАЧАТЬ PDF
 Кол-во  | Цена без НДС, грн  | Купить |  
  |       Раздел: Транзистор биполярный
  
 
  |      |   |   | 
	
		
			| 
			 
			
			   | 
			
			 
			STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна 
			из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей 
			различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных 
			компонентов  | 
		 
	 
 
 
	
		| 
		 Производитель  | 
		
		  STMicroelectronics
		  | 
	 
	
		| 
		 Категория продукта  | 
		
		  Биполярные 
		транзисторы - BJT   | 
	 
	
		| 
		 Вид монтажа  | 
		
		  SMD/SMT 
		  | 
	 
	
		| 
		 Тип корпуса  | 
		
		  TO-252-3 
		  | 
	 
	
		| 
		 Полярность 
		транзистора  | 
		
		  NPN   | 
	 
	
		| 
		 Конфигурация  | 
		
		  Single 
		  | 
	 
	
		| 
		 Напряжение 
		коллектор-эмиттер (VCEO), макс.  | 
		
		  400 V 
		  | 
	 
	
		| 
		 Напряжение 
		эмиттер-база (VEBO)  | 
		
		  9 V   | 
	 
	
		| 
		 Максимальный 
		постоянный ток коллектора  | 
		
		  1.5 A 
		  | 
	 
	
		| 
		 Pd - рассеивание 
		мощности  | 
		
		  20000 mW 
		  | 
	 
	
		| 
		 Рабочая температура  | 
		
		  - 65 C ... + 150 
		C   | 
	 
	
		| 
		 Коэффициент усиления 
		по постоянному току (hFE), макс.  | 
		
		  5   | 
	 
	
		| 
		 Технология  | 
		
		  Si   | 
	 
	
		| 
		 Коллектор 
		постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)  | 
		
		  5   | 
	 
 
  |   |   |   
 -4.jpg) 
 
 
 -5.jpg) 
  
	
		
			| 
			 
			   | 
			
			 
			Транзистор биполярный  
			 
			Биполярный 
			транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. 
			Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и 
			электронной проводимостей. На практике используются транзисторы 
			обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями 
			заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p 
			транзисторе дырки.  | 
		 
	 
 
Транзистор IGBT Пластиковые
 | 
      
 
 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
 | 
    
  
 ^ Наверх  DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, 
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи 
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, 
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, 
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары 
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, 
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП