Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Специальное предложение на реле производства компании HONGFA со склада в Харькове.

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET PMV65XP.215 MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT-23 На складе ... Производитель: NEX-NXP Тип корпуса: SOT23-3 код товара: 00-00045425 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 149 шт от 618 шт 4,00 3,35 3,24 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Один из ведущих поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды) Specifications of PMV65XP,215 Package / Case SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 Fet Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide Fet Feature Logic Level Gate Rds On (max) @ Id, Vgs 76 mOhm @ 2.8A, 4.5V Drain To Source Voltage (vdss) 20V Current - Continuous Drain (id) @ 25° C 3.9A Vgs(th) (max) @ Id 950mV @ 1mA Gate Charge (qg) @ Vgs 7.6nC @ 4.5V Input Capacitance (ciss) @ Vds 725pF @ 20V Power - Max 1.92W Mounting Type Surface Mount Minimum Operating Temperature - 55 C Configuration Single Transistor Polarity P-Channel Resistance Drain-source Rds (on) 0.076 Ohm @ 4.5 V Drain-source Breakdown Voltage 20 V Gate-source Breakdown Voltage +/- 12 V Continuous Drain Current 3.9 A Power Dissipation 1920 mW Maximum Operating Temperature + 150 C Mounting Style SMD/SMT Number Of Elements 1 Polarity P Channel Mode Enhancement Drain-source On-res 0.076Ohm Drain-source On-volt 20V Gate-source Voltage (max) ±12V Operating Temp Range -55C to 150C Operating Temperature Classification Military Mounting Surface Mount Pin Count 3 Package Type TO-236AB     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор с изолированным затвором. MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП