| 
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
 
 
  
       | 
        | 
    
    
      
    |   |   |   |         Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия |       Транзистор биполярный MMBTA42G-AE3-R Биполярный транзистор - NPN: UКЭ(макс): 300 В: IК(макс): 500 мА: Pрасс: 350 мВт: Fгран: 50 МГц: h21: от 40
  На складе ... Производитель: UTC Тип корпуса: SOT23-3 код товара: 00-00058686
 
 Кол-во  | Цена без НДС, грн  | Купить |  
  |       Раздел: Транзистор биполярный
  
 
  |      |   |   | 
	
		
			  | 
			
			 UTC (Unisonic 
			Technologies Company) основана в 1998, как производитель 
			высококачественной полупроводниковой продукции для производителей 
			электронной техники в различных сегментах рынка.  | 
		 
	 
 
 
	
		| 
		 Наименование 
		производителя  | 
		
		  MMBTA42-G  | 
	 
	
		| 
		 Маркировка  | 
		
		  1D  | 
	 
	
		| 
		 Тип материала  | 
		
		  Si  | 
	 
	
		| 
		 Полярность  | 
		
		  NPN  | 
	 
	
		| 
		 Максимальная 
		рассеиваемая мощность (Pc)  | 
		
		  0.35 W  | 
	 
	
		| 
		 Макcимально 
		допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)  | 
		
		  300 V  | 
	 
	
		| 
		 Макcимально 
		допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)  | 
		
		  300 V  | 
	 
	
		| 
		 Макcимально 
		допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb)  | 
		
		  5 V  | 
	 
	
		| 
		 Макcимальный 
		постоянный ток коллектора (Ic)  | 
		
		  0.3 A  | 
	 
	
		| 
		 Предельная 
		температура PN-перехода (Tj)  | 
		
		  150 °C  | 
	 
	
		| 
		 Граничная частота 
		коэффициента передачи тока (ft)  | 
		
		  50 MHz  | 
	 
	
		| 
		 Статический 
		коэффициент передачи тока (hfe)  | 
		
		  100  | 
	 
	
		| 
		 Корпус транзистора  | 
		
		  SOT-23  | 
	 
 
  |   |   |    
	
		
			| 
			 
			   | 
			
			 
			Транзистор биполярный  
			 
			Биполярный 
			транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. 
			Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и 
			электронной проводимостей. На практике используются транзисторы 
			обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями 
			заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p 
			транзисторе дырки.  | 
		 
	 
 
Транзистор IGBT Пластиковые
 | 
      
 
 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
 | 
    
  
 ^ Наверх  DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, 
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи 
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, 
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, 
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары 
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, 
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП