Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли.
Вид монтажа
Through Hole
Полярность
транзистора
NPN
Конфигурация
Single
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
120 V
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
120 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
5 V
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
0.07 V
Максимальный
постоянный ток коллектора
0.05 A
Pd - рассеивание
мощности
500 mW
Минимальная рабочая
температура
- 55 C
Максимальная рабочая
температура
+ 150 C
Непрерывный
коллекторный ток
0.05 A
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс.
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
