| 
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
 
 
  
       | 
        | 
    
    
      
    |   |   |   |         Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия |       Транзистор IGBT IKW50N60H3FKSA1 Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, TO-247
  На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: PG-TO247-3 код товара: 00-00048254
 
 Кол-во  | Цена без НДС, грн  | Купить |  
  |       Раздел: Транзистор IGBT
  
 
  |      |   |   | 
	
	
		| 
		 
		
		   | 
		
		 
		
		Infineon Technologies AG - крупнейший представитель 
		полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция 
		Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся 
		лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со 
		встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и 
		другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией, 
		твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
		  | 
	 
 
 
 
	
		| 
		 Производитель  | 
		
		  Infineon 
		  | 
	 
	
		| 
		 Категория продукта  | 
		
		  Биполярный 
		транзистор   | 
	 
	
		| 
		 Технология  | 
		
		  Si   | 
	 
	
		| 
		 Корпус  | 
		
		  TO-247-3 
		  | 
	 
	
		| 
		 Вид монтажа  | 
		
		  Through Hole
		  | 
	 
	
		| 
		 Конфигурация  | 
		
		  Single 
		  | 
	 
	
		| 
		 Напряжение 
		коллектор-эмиттер (VCEO), макс.  | 
		
		  600 V 
		  | 
	 
	
		| 
		 Напряжение насыщения 
		коллектор-эмиттер  | 
		
		  1.85 V 
		  | 
	 
	
		| 
		 Максимальное 
		напряжение затвор-эмиттер  | 
		
		  +/- 20 V 
		  | 
	 
	
		| 
		 Непрерывный 
		коллекторный ток при 25 C  | 
		
		  100 A 
		  | 
	 
	
		| 
		 Pd - рассеивание 
		мощности  | 
		
		  333 W 
		  | 
	 
	
		| 
		 Минимальная рабочая 
		температура  | 
		
		  - 40 C 
		  | 
	 
	
		| 
		 Максимальная рабочая 
		температура  | 
		
		  + 175 C 
		  | 
	 
	
		| 
		 Серия  | 
		
		  HighSpeed 3
		  | 
	 
	
		| 
		 Высота  | 
		
		  20.7 mm 
		  | 
	 
	
		| 
		 Длина  | 
		
		  15.87 mm 
		  | 
	 
	
		| 
		 Ширина  | 
		
		  5.31 mm 
		  | 
	 
	
		| 
		 Ток утечки 
		затвор-эмиттер  | 
		
		  100 nA 
		  | 
	 
	
		| 
		 Квалификация  | 
		
		  AEC-Q100 
		  | 
	 
	
		| 
		 Другие названия 
		товара №  | 
		
		  IKW50N60H3 
		IKW5N6H3XK SP000852244  | 
	 
 
  |   |   |    
	
		
			| 
			 
			   | 
			
			 
			Транзистор IGBT 
			 
			IGBT транзистор - (Insulated 
			Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную 
			структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого 
			транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота 
			управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое 
			падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного 
			транзистора  | 
		 
	 
 
Транзистор IGBT Пластиковые
 | 
      
 
 
Поставляемые компоненты
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
 | 
    
  
 ^ Наверх  DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, 
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи 
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, 
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, 
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары 
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, 
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП