КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

 

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор полевой MOSFET
FQU11P06TU
Транзистор, Р-канал 60В 9.4А

На складе ...
Производитель: FAIR
Тип корпуса: I-Pak
код товара: 00-00031663

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 11 шт
от 49 шт

47,00
43,79
40,66

Раздел:
Транзистор полевой MOSFET


 

Категория продукта

 МОП-транзистор

Производитель

 ON Semiconductor

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Корпус

 TO-251-3

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 - 60 V

Id - непрерывный ток утечки

 - 9.4 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 185 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 30 V

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Конфигурация

 Single

Канальный режим

 Enhancement

Время спада

 45 ns

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

 4.9 S

Высота

 6.3 mm

Длина

 6.8 mm

Pd - рассеивание мощности

 2.5 W

Время нарастания

 40 ns

Серия

 FQU11P06

Тип транзистора

 1 P-Channel

Тип

 MOSFET

Типичное время задержки выключения

 15 ns

Типичное время задержки при включении

 6.5 ns

Ширина

 2.5 mm

Другие названия товара №

 FQU11P06TU_NL

 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП